第二章 封装工艺流程.pptVIP

TAB技术的流程 引脚及载带制作 引脚化载带 凸块化芯片 内引脚接合 封胶保护 电性测试 外引脚接合 测试完成 TAB技术与WB技术相比的优点： 1、TAB的结构轻、薄、短、小、高度1mm。 2、TAB的电极尺寸、电极与焊区的间距比WB大为减小。 3、相应可容纳的I/O引脚更多，安装密度更高。 4、TAB的引线R、C、L均比WB的小得多，速度更快，高频特性更好。 5、采用TAB互连可对IC芯片进行电老化、筛选和测试。 6、TAB采用Cu箔引线，导热、导电好，机械强度高。 7、TAB焊点键合拉力比WB高3至10倍。 8、载带的尺寸可实现标准化和自动化。可规模生产，提高效率，降低成本。 TAB技术的关键材料 导电性能好， TAB的关键技术 1、芯片凸点制作技术 2、TAB载带制作技术 3、载带引线与芯片凸点的内引线焊接技术以及载带外引线焊接技术。 芯片有钝化保护层，厚度高于键合点，必须在芯片的键合点上或TAB载带的内引脚前端先长成键合凸点。 凸点 有引线图形的金属箔丝 凸块式载带TAB：在载带内引脚的前端长成台地状金属凸块再键合。后研发成新型技术——凸点载带自动焊接技术(BTAB) 凸块式芯片TAB：在键合点上长成凸块，在与载带内引脚键合。 TAB 钝态保护 铝键合点 芯片清洗 粘贴阻挡层 光刻 成像 电镀金凸块 选择性刻蚀 TAB的关键技术—— 1、芯片凸点制作技术 凸点的制作工艺流程（图2.13）： 1、清洗 2、在芯片表面镀具有粘着、扩散阻挡和保护功能的多层金属薄膜（阻挡层）； 3、光刻成像； 4、电镀金凸块； 5、除去光刻胶； 6、选择性刻蚀除去多层金属膜。 良好的键合力与低接触电阻 防止芯片铝与凸块材料间的扩散 防止凸块底部阻挡层金属的测侵蚀而破坏芯片的铝线和焊垫结构 现代凸点工艺之一：置球法 现代凸点工艺之一：转移技术 后日本研发了凸块转移技术：先利于光刻、成像、电镀等技术在玻璃基板上长成与载带内引脚前端位置相对应的键合凸块后，把凸块转移到引脚，再进行引脚和芯片的键合，把凸块转移到芯片。 注意到：因为制作凸块是在玻璃基板上，而不必在芯片或载带上，所以芯片损伤和成本都降低，而提高了TAB技术的可靠性和标准化的通用性。 TAB的关键技术—— 2、TAB载带制作技术 TAB载带的分类和制作工艺 Cu箔单层带： Cu-PI双层带： Cu-粘贴剂-PI三层带： Cu-PI-Cu双金属带： 先冲制出标准的定位传输孔后清洗Cu箔，一面涂光刻胶，进行光刻、曝光、显影，背面涂胶后腐蚀、去胶、电镀和退火处理。 先金属箔和PI粘贴后，进行两面光刻、腐蚀、去胶、电镀和退火处理。 PI-粘贴剂-Cu箔粘贴后，单面光刻、腐蚀、去胶、电镀和退火处理。P33(1-6点) 将PI冲压出引线图形的支撑框架后，双面粘贴Cu箔，双面光刻等，通孔互连。 各TAB载带的特点： 成本的，制作工艺简单，耐热性能好，但不能进行老化筛选测试芯片。 成本低、可弯曲、设计自由灵活，耐热性能好，可进行老化筛选测试芯片。 可制作高精度图形，用于批量生产，可进行老化筛选测试芯片。工艺复杂，成本高。 用于高高频器件，可改善信号特性。 TAB的关键技术—— 3、载带内、外引线焊接技术 内引线焊接技术：指载带引线图形的前端（内引线）与芯片凸点的焊接。 外引线焊接技术：指载带外引线与外壳或基板焊区的焊接。 热压焊： 热压再流焊： 适用于凸点的成分和引线镀的金属类型相同的时候。如：Au、Au/Ni、Au/Cu 适用于凸点的成分和引线镀的金属类型不相同的时候。 Au、Au/Ni、Au/Cu与Pb/Sn 焊接工艺：对位、焊接、抬起、传送； 焊接条件：温度、压力、时间。 TAB的关键技术—— 3、载带内、外引线焊接技术 热压头 载带导杆 载带 芯片 粘着剂 输送带 尹小田 第二章 封装工艺流程 1、封装工艺的流程 2、芯片切割 3、芯片贴装 4、芯片互连 5、封装工艺流程的其余步骤 1、封装工艺的流程 前段操作（Front End Operation）: 用塑料封装之前的工艺步骤 后段操作（Back End Operation）: 在塑料封装之后的工艺步骤 封装流程可分成2部分： 硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯片互连 成型技术即 （塑料封装） 去飞边毛刺 切筋成形 上焊锡 打码 封装工艺的基本流程： 硅片减薄 芯片切割 硅片贴装 芯片互连 成型技术即 （塑料封装） 去飞边毛刺 切筋成形 上焊锡 打码 硅片的尺寸越来越大，为了方便制造、测试和运送过程，厚度增加。 背面减薄技术有： 磨削、研磨、干式抛光(Dry Polishing)、 化学机械抛光(chemical mechanicai polishing,CMP)、