精品第六章 二元ⅲ-ⅴ族化合物的制备及其特征.pptVIP

二元Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备及其特征 6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 * 回忆: 硅的晶体结构;如何形成 6-1-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的晶体结构 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体: 闪锌矿结构 两套面心立方格子沿体对角线移动1/4长度套构而成. * 闪锌矿结构 立方晶系 面心立方格子 GaAs * 纤锌矿晶体结构 六方晶系 简单六方格子 GaN,InN,BN * 6-1-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 锗和硅的能带结构 Ge 0.67 eV Si 1.12 eV 1.GaAs的能带结构 * III-V族化合物半导体 GaAs 1.43 eV * GaAs 能带结构与Si、 Ge 能带结构相比，特点如下： 1. GaAs 的导带极小值与价带极大值都在K＝0，这种能带结构叫做直接跃迁型；而Si、 Ge 的极大和极小值所在的K值不同，这种能带结构叫做间接跃迁型。 2. GaAs 在100方向上具有双能谷能带结构，即除k＝0处有极小值外，在100方向边缘上存在另一个导带极小值，比中心极小值仅高0.36eV。因此电子具有主次两个能谷。 3. GaAs的最高工作温度450℃.硅:250℃ 锗:100℃ * GaP间接跃迁型材料 发光效率比直接跃迁型材料低 但是如果某些杂质在GaP中可形成发光的辐射复合中心,使GaP从间接跃迁到直接跃迁