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一、晶界（位错界面） （一） 小角度晶界（small angle grain boundary） 取向差θ小于10~15o时，称为小角度晶界。 根据形成晶界时的操作不同，晶界分为 倾斜晶界（tilt boundary） 扭转晶界（twist boundary 倾斜晶界与扭转晶界 简单立方晶体中的对称倾斜晶界 如图是简单立方结构晶体中界面为（100）面的倾斜晶界在（001）面上的投影，其两侧晶体的位向差为θ，相当于相邻晶粒绕[001]轴反向各自旋转θ/2而成。几何特征是相邻两晶粒相对于晶界作旋转，转轴在晶界内并与位错线平行。为了填补相邻两个晶粒取向之间的偏差，使原子的排列尽可能接近原来的完整晶格，每隔几行就插入一片原子。 对称倾斜晶界（symmetrical tilt boundary） 最简单的小角度晶界，其结构由一系列平行等距离排列的同号刃位错所构成。 位错间距离D、伯氏矢量b与取向差θ之间满足下列关系： 即当θ小时，位错间距较大，若b=0.25nm，θ=1o，则D=14nm；若θ＞10o，则位错间距太近，位错模型不再适应。 （二）大角度晶界 特点：两侧晶粒取向差较大（θ大于10~15o ），但其过渡区却很窄（仅有几个Ao），其中原子排列在多数情况下很不规则，少数情况下有一定的规律性，因此很难用位错模型来描述。 界面能：一般0.5~0.6J/m2左右，与相邻晶粒取向差无关。但也有些特殊取向的大角度晶界界面能比其它任意取向的大角度晶界界面能低，为了解释这些特殊晶界的性质，提出了大角度晶界的重合位置点阵（coincidence site lattice 即CSL）模型，O点阵模型，DSC点阵模型等。 二、堆积层错 堆垛层错（简称层错）：指正常堆垛顺序中引入不正常顺序堆垛的原子面而产生的一类面缺陷。 例面心立方结构，当正常层序中抽走一原子层, 相应位置出现一个逆顺序堆层ABCACABC……，称抽出型层错；如果正常层序中插入一原子层，相应位置出现两个逆顺序堆层ABCACBCAB……称插入型层错。 面心立方晶体中的抽出型层错(a) 和插入型层错(b) 三、反映孪晶界面 面心立方结构晶体中的正常堆垛方式是密排面作……△△△△△△△△……的完全顺顺序堆垛（或与此等价，作……▽▽▽▽▽……完全逆顺序堆垛）。如果从某一层起全部变为逆时针堆垛，例如……△△△△▽▽▽▽……，则这一原子面成为一个反映面，两侧晶体以此面成镜面对称，这两部分晶体成孪晶关系，由于两者具有反映关系，称反映孪晶，该晶面称孪晶界面。 面心立方晶体中{111}面反映孪晶的〈110〉投影图 资源加工与生物工程学院 第三章 晶体结构缺陷——3.6 面缺陷 * Chapter 3 Crystal Structure Defect 3.1 晶体结构缺陷的类型 3.2 点缺陷（point defect） 3.3 固溶体（solid solution） 3.4 非化学计量化合物 （nonstoichiometric compound） 3.5 线缺陷（line defect） 3.6 面缺陷（face defect） 3.6 面缺陷 面缺陷（surface defects）是将材料分成若干区域的边界，如表面、晶界、界面、层错、孪晶面等。 一、晶界（位错界面） （一）小角度晶界（small angle grain　boundary） （二）大角度晶界 二、堆积层错 三、反映孪晶界面 （a）倾斜晶界 （b）扭转晶界 3.6 面缺陷 特点：并不改变层错处原子最近邻的关系(包括配位数、键长、键角)，只改变次邻近关系，几乎不产生畸变，所引起的畸变能很小。因而层错是一种低能量的界面。 沿孪晶界面，孪晶的两部分完全密合，最近邻关系不发生任何改变，只有次近邻关系才有变化，引入的原子错排很小，称共格孪晶界面。孪晶界面的能量约为层错能之半。 * * 资源加工与生物工程学院 第三章 晶体结构缺陷——3.6 面缺陷