不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响.pdfVIP

! 第# 卷 第$ 期! ! ! ! ! ! ! ! ! 人! 工! 晶! 体! 学! 报! ! ! ! ! ! ! ! %’( #! )( $! ! *++, 年- 月! ! ! ! ! ! ! ! ! ./01)23 /4 56)7897:; ;1657235 ! ! ! ! ! ! ! ! ! 2=? ，*++, ! ! 不同耦合间隙对大直径!# 晶体生长感应 加热系统的影响 张群社，陈治明，李留臣，蒲红斌，封先锋，陈! 曦 （西安理工大学自动化与信息工程学院，西安@A++$- ） 摘要：本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸5B; 晶体C%7 法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生 长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响；分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间 的不同。得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下，在线圈匝数已固定的条件下，通过缩小耦合间隙 可以提高系统的加热效率，缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论。 关键词： 5B; ；C%7 法；磁矢势；焦耳热 中图分类号： /@- ! ! 文献标识码：2 ! ! 文章编号：A+++DE-#F（*++, ）+$D+@-AD+$ $%%’( )% *%%+,( #)-./,0 12(34 ), 5,2-’(), 67(,0 , (3 87+0 !9 !# :+);(3 !4(= !#$% ’()*+, ，-.$ !+/)0/(1 ，23 2/’)4+,( ，56 7(1)8/( ，9.$% :/;(),(1 ，-.$ :/ （GHIJK?LHM? N 9’HO?KMBO 9M=BMHHKBM= ，FBPJM 0MBQHKB?R N 7HOSM’=R ，FBPJM @A++$- ，;SBMJ ） （=,4,/,? *$ @;A4+ *++, ，;44,BC,? *- #BA/D *++, ） ?4(+7’( ：7SH BMN’HMOH N TBNNHKHM? OI’BM= UBT?S N ?SH SHJ?BM= VJHLV’R M ?SH BMTO?BM LJ=MH?BO NBH’T ，BMTO?BM OKKHM? JMT .’H SHJ? BM ?SH ’JK=H BWH 5B; =KU?S R?HL SJQH VHHM BMQH?B=J?HT R?HLJ?BOJ’’R( XR OLIJKBM= N ?SH ?BLH N SHJ?BM=DI NK YJBD?J?BMJKR ?J?H N =KU?S R?HL ，B? OJM VH OMO’THT ?SJ? BMTO?BM SHJ?BM= HNNBOBHMOR OJM VH BMOKHJHT USB’H ?SH ?BLH N SHJ?BM=D I ?J=H OJM VH SK?HMHT BM ?SH =KU?S R?HL ，JLBM= ?SJ? ?SH 14 IUHK ，NKHYHMOR JMT ?KM N OB’ JKH OM?JM?( .’H SHJ? @ ;)+24 ：5B; ；C%7 LH?ST ；LJ=MH?BO I?HM?BJ’ ； A! 引! ! 言 与第一代半导体5B 和第二代半导体[J2 等单晶材料相比，5B; 晶体具有宽禁带、高热导率、大电子饱和 迁移速度、高临界击穿电场强度、低介电常数以及化学稳定性好等优点，可制作出性能更为优异的高温、高 频、大功率、高速和抗辐射器件［A］。当前，5B; 体单晶的生长主要采用改进的3H’R 法即物理气相输运法（C%7 法）。该方法基本原理是将5B; 籽晶放在一个含5B; 粉源的坩埚里，坩埚通过中频感应加热，使