课件第3章__二极管及其基本电路.pptVIP

* 3.5.4 光电子器件 * 3.5.3 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 与一般二极管的重要差别： （1）利用金属与N型半导体构成的二极管。 （2）不存在少子在结附近的累积和消散过程，电容效应很小； （3）耗尽区较薄，门坎电压和正向压降要低0.2V。但是，肖特基二极管的反向击穿电压较低。 * 3.5.4 光电子器件 1. 光电二极管 （a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 光电子系统的优点：抗干扰能力强，传输损耗小； 光电子系统的缺点：光路比较复杂，光信号的操作与调制要精心设计。 光电二极管接收光照，反向电流随光照强度的增加而增大。 * 2. 发光二极管 符号 光电传输系统 由化合物构成，二极管通过电流时发光，光谱范围窄。 作用：（1）作为显示用器件；（2）将电信号转换为光信 号（光电耦合、光缆传输等）。 * 3. 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 构成：在发光二极管的节间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，形成光谐振腔。 工作原理：正偏时，LED发出的光谐振腔作用；进一步激励结上发射单波长光；光在谐振腔内振荡，形成激光。 * * * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是非线性器件，其电路采用非线性电路的分析方法，比较复杂。但是，图解分析法则较简单，前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 需要知道特性曲线，实际中难以实现。 * 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 * （2）恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 基本思想是当二极管导通后，其管压降被认为是恒定的，且不随电流的增大而变化。 这种近似比较合理，应用比较广泛 * （a）V-I特性 （b）电路模型 （2）折线模型 基本思想是为了真实描述二极管伏安特性，在恒压降模型上作修正后得出。即认为二极管压降不恒定，是随电流的增加而增加。近似模型中引入一个电阻和一个电池。（阻值的确定见书） 压值和阻值不是恒定的。 * vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 （4）小信号模型 引入交流源，将交流和直流分开讨论。 工作点在Q‘和Q’’间移动 * 线性化：将过Q点的切线看做线性，即可等效一个微变电阻rd。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） （a）V-I特性 （b）电路模型 * 注意：（1） 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。（2） 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 高频信号时，小信号模型的变形： 高频时，结电容的影响不能直接忽略，所以有扩散电容和势垒电容。正偏时，总电容取决于扩散电容；反偏时，总电容取决于势垒电容。 （a）等效模型 （b）简化模型 * 2．模型分析法应用举例 （1）整流电路:试利用理想模型，定性绘出V0的波形。 （a）电路图 半波整流电路 （b）vs和vo的波形 * （2）静态工作情况分析（求ID和VD） 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 * （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF