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XF3（X=N,P,As）分子价层电离势的三阶代数图-表构建法计算.pdf
第 卷 第 期 原 子 与 分 子 物 理 学 报
31 4 Jol.31 No.4
年 月
2014 8 JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS Au .2014
g
: /
doi 103969 j.issn.1000-0364.2014.04.001
( , , ) 子价层电离势的
XF3 X=N P As 分
三阶代数图 表构建法计算
-
,
杨文艳 陈恒杰
( , )
重庆科技学院数理学院 重庆 401331
: ( 简写为
摘 要 应用三阶代数图表构建法 third-order al ebraic dia rammatic construction scheme ADC
- g g
()) ( , , ) ( ) :
3 计算了XF X=N P As3 的价层垂直电离势 VIP .结果表明 内壳层电子关联对电离主峰位置影
; ;
响非常小 来自不同理论结果的分子结构对电离主峰位置有较小影响 基组差异则表现的非常明显 由
.
: , ()
计算值和实验结果比较可知 在实验分子结构和 cc-VDZp 基组下 应用ADC 3 得到的电离势与实验值整
体上差距最小; ()计算的第一电离势往往小于实验值约 ,其余主峰位置与实验值差距
ADC 3 0.4~0.8 eV
约 ; , () , ()
0.01~0.3 eV 随基组增大 ADC 3 结果与实验值偏差明显增大 因此 利用 方法计算价层
. ADC 3
, , 或 ,结构除采用实验外也可直接从耦合簇、
电离势时 建议使用价层电子关联 基组则采用cc-pVDZ DZP
密度泛函等理论获得.
: ( , , ); ;
关键词 价层垂直电离势 三阶代数图表构建法
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