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30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究 第3O卷第2期 2010年6月 固体电子学研究与进展 RESEARCHamp;PROGRESSOFSSE Vo1.30,No.2 Jun.,2010 600V一30A4H—SiC肖特基二极管 作为IGBT续流二极管的研究 李宇柱倪炜江李哲洋李贾陈辰陈效建 (南京电子器件研究所,单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016) 2010一Ol一15收稿,2010—02—23收改稿 摘要:采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600V.正向压降为1.6V时, 器件电流达到30A.作为IGBT续流二极管,600V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600V超快恢复二极 管(Ultrafastdiode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节 省9O%,相应的IGBT开通能耗节省3o.另外反向恢复中过电压从4O降为10,这是由于碳化硅的软度高,提 高了模块的可靠性. 关键词:4H碳化硅;肖特基二极管;快恢复二极管;软度 中图分类号:TN31l.8;TN304.054文献标识码:A文章编号:1000—3819(2Oio)02—292—05 600V—-30A4H-SiCSBDUsedasFreewheeling DiodeforIGBTModule IIYuzhuNIWeijiangLIZheyangLIYunCHENChenCHENXiaojian (NationalKeyLaboratoryofMonolithicIntegratedCircuitsandModules, NmoingElectronicDevicesInstitute,Nanjing,210016,CHN) Abstract:The600V4H桽iCSchottkyBarrierDlode(SBD)wasdesignedandfabricated based011in梙ouseSiCepitaxyanddevicetechnology.TheSiCSBDwaspackagedtogetherwith totalcurrentof30Aandforwardvoltagedropof1.6V.Asafree梬heelingdiodefortheSiIG?BT(switchingmeasurementsweredoneat125C),the600VSiCSBDwascomparedtothe600 Vultra梖astdiodefromInternationa1RectifierCo..TheSiCdiodeachieved90recoverylOSSre?ductiontheandcorrespondingIGBTshowed309/6lowerturn梠nloss.Alsothevoltagespikewas reducedfrom40%to1OduetohighsoftnessoftheSiCSBD. Keywords:4H—SiC;SBDdiode;ultra—fastdiode;softness EEACC:2520M;2530D;2550;2560H 引言 用于工业控制的逆变器电路中,续流二极管 (Freewheelingdiode)越来越表现出举足轻重的作 用.硅P—i—N二极管经历了标准二极管,快恢复二极 ?联系作者:E—mail:micro—nedi@l63.corn 管和超快二极管等多个产品技术世代,在外延材料, 器件结构和工艺开发上精益求精,努力追求各种性 能的平衡,已经发展到了极致.然而当功率系统发展 到更高功率密度和更高频率时,对续流二极管的要 求也将随之而提高. 肖特基二极管是单极器件(Unipolardevice), 2期李字柱等:600V一30A4H—SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究293 没有少数载流子,因此不但反向恢复快而且软度好. 但是硅肖特基二极管的击穿电压很低,只能用在100 V以下的低压电路中. 碳化硅(4H—SiC)材料具有高功率密度,耐高温 等优良特性,给肖特基续流二极管新的未来,目前已 经有10kV的高压碳化硅肖特基二极管的报道j. 国外碳化硅肖特基二极管已经产业化,英飞凌,Cree 等厂家可以提供600v/1200V,2～2OA的碳化硅 肖特基二极管,其主要市场为高频开关电源 (SMPS)和功率因数校正电路(PFC)等.但是碳化 硅SBD作为续流二极管的应用报道不多.国内有一 些碳化硅肖特基二极管的研究报道,但是电流较小. 文中利用自主技术,完成了外延材料制备和600V～ 30A器件制造,并测试了碳化硅肖特基二极管作为 IGBT续流二极管的动态