2006期中复习 模拟电路.pptVIP

电子科技大学二零零 六 至二零零 七 学年第 一 学期模拟电路期 中 考试 一（14分）、问答题1．（2分）从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面，分别简述PN结的单向导电性。 1．（2分）从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面，分别简述PN结的单向导电性。1)从载流子的运动角度分析PN结的单向导电性：PN结正偏时，多数载流子的扩散运动形成较大的导通电流；PN结反偏时，少数载流子的漂移运动形成很小的反向饱和电流。因此，PN结具有单向导电性。2)从PN的伏安特性方程分析PN结的单向导电性：PN结的伏安特性方程为i = Is [ exp ( v/VT ) - 1 ]。当PN结正偏时，i = Is exp ( v/VT )，随着电压v的增加而显著增大；当PN结反偏时，i≈-IS≈0。因此，PN结具有单向导电性。 2．（2分）试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。 2．（2分）试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。2、需要限流电阻的目的是保证稳压二极管工作在一定的电流范围（Izmin，Izmax）内，确保稳压管处于稳压状态，且不至于烧坏。 3．（2分）以NPN型BJT单级共射放大器为例，试简要叙述确定动态范围的过程。 3．（2分）以NPN型BJT单级共射放大器为例，试简要叙述确定动态范围的过程。3、根据交流负载线确定最大不饱和失真电压和最大不截止失真电压，取其最小值的2倍，即是动态范围。 4．（2分）以单级稳基压偏置放大器为例，当环境温度降低时，试简要叙述稳定静态工作点的原理。 4．（2分）以单级稳基压偏置放大器为例，当环境温度降低时，试简要叙述稳定静态工作点的原理。4、T↓→IC↓→VCE↑→Q↓  IE↓→VE↓→VBE↑→IB↑→IC↑→VCE↓→Q↑ 5．（2分）在多级电压放大器中，为什么常常采用射极跟随器（或源极跟随器）作为输出级（最末级）？ 5．（2分）在多级电压放大器中，为什么常常采用射极跟随器（或源极跟随器）作为输出级（最末级）？5、因为射极跟随器的输出电阻小，对电压放大器而言，它的带负载能力强。 6．（2分）计算放大器的电压增益时，为什么通常需要计算静态工作点？ 6．（2分）计算放大器的电压增益时，为什么通常需要计算静态工作点？6、用于获取交流小信号模型的参数（如rbe，gm，rds等），结合交流负载线，确定动态范围。 7．（2分）什么是多级放大器中的零点漂移现象？ 7．（2分）什么是多级放大器中的零点漂移现象？ 7、前级静态工作点的变化会被后级传递并逐级放大，使得输出端产生很大的漂移电压，这就是多级放大器中的零点漂移现象。 二（8分）电路如图所示，已知β= 100，VBE = 0.7V, VA = ∞，rbe = 5.6kΩ。求输入电阻Ri； 求小信号源电压增益Avs = vo/vs； 求输出电阻Ro。 二（8分）电路如图所示，已知β= 100，VBE = 0.7V, VA = ∞，rbe = 5.6kΩ。求输入电阻Ri； 求小信号源电压增益Avs = vo/vs； 求输出电阻Ro。(请同学画交流等效电路) 二（8分）电路如图所示，已知β= 100，VBE = 0.7V, VA = ∞，rbe = 5.6kΩ。求输入电阻Ri； 求小信号源电压增益Avs = vo/vs； 求输出电阻Ro。 解: 三（8分）、 电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）VT= 1V，Kn = 1mA/V2，rDS = ∞。电路参数为VDD = 8V，输入电阻Ri = 300kΩ。设计电路参数R1、R2和RS，使IDQ = 2mA，VDSQ = 5V；求小信号电压增益Av = vo/vi和输出电阻Ro。 4.４.2 共漏放大器--源极跟随器(P1４２) MOSFET共漏放大器 三（8分）、 电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）VT= 1V，Kn = 1mA/V2，rDS = ∞。电路参数为VDD = 8V，输入电阻Ri = 300kΩ。设计电路参数R1、R2和RS，使IDQ = 2mA，VDSQ = 5V；求小信号电压增益Av = vo/vi和输出电阻Ro。 2)交流性能分析 小信号电压增益为: 输入电阻: 为了计算输出电阻，将图中小信号电压源置零，在电路的输出端施加一个测试电压vx，如图所示。然后求出相应的电流ix，则输出电阻Ro=vx/ix。 在源极输出端列写KCL方程得: 由于输入回路中无电流，因此: 所以 即 三（8分）、 电路如图2所示，