复旦大学微电子工艺-VLSI-04第四讲--光刻上-1.pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.01 集成电路工艺原理 第四章 光刻原理 (上) 净化的三个层次： 上节课主要内容 净化级别 高效净化 净化的必要性 器件：少子寿命?，VT改变，Ion? Ioff?，栅击穿电压?，可靠性? 电路：产率?，电路性能? 杂质种类：颗粒、有机物、金属、天然氧化层 强氧化 天然氧化层 HF:DI H2O 本征吸杂和非本征吸杂 环境、硅片清洗、吸杂 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 光刻的作用和目的 图形的产生和布局 35％的成本来自于光刻工艺 光刻的要求 图形转移技术组成： 掩膜版/电路设计 掩膜版制作 光刻 光源 曝光系统 光刻胶 分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高）——1/3最小特征尺寸 产率（throughput）（大） 缺陷密度（低） 空间图像 潜在图像 掩膜版制作 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 数字图形 ×4或×5投影光刻版 投影式光刻 ×1掩膜版制作