微电子工艺3---PRINT.pptVIP

* 界面硅侧有大量自填隙硅原子，这些点缺陷结团形成堆垛层错，一般位于{111}面中。 100Si腐蚀后，显露的OSF，继续腐蚀将显露更多缺陷 若氧化时间极短，氧化速率服从什么规律；而氧化时间很长呢？ 影响氧化速率的主要因素有哪几个？哪个影响最大？ 热氧化过程中杂质再分布由几方面因素引起? 薄层氧化与D-G模型是否吻合？ 热氧化后在界面硅一侧会出现什么结构问题？ * * * * * * * * * * * * 界面陷阱电荷 Qit SiO2 Si + + + + + + + + + + 氧化层固定电荷 Qf 氧化层陷阱电荷 Qot + + + + - - - - - 可动离子电荷 Qm K+ Na+ 可动离子电荷（Qm）----在二氧化硅中都是网络改变者存在、荷正电的碱金属离子杂质，主要是Na+、K+、H+ 等。 其中主要是Na+。在人体与环境中大量存在Na+，热氧化时容易发生Na+沾污。 降低方法— 加强工艺卫生，避免Na+沾污；也可采用掺氯氧化，固定Na+离子；高纯试剂。 * 对MOS电容进行C-V测试①； 在栅极上加约1MV/cm的正向（反向）偏压，同时加热到200-300℃，l0-30min，确保可动离子都到达SiO2/Si