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微电子工艺 第3章 外延 (Epitaxy) 第3章 外延 3.1 概述 3.2 气相外延 3.3 分子束外延 3.4 其它外延 3.5 外延层缺陷及检测 3.1 概述3.1.1外延概念 在微电子工艺中，外延(epitaxy)是指在单晶衬底上，用物理的或化学的方法，按衬底晶向排列（生长）单晶膜的工艺过程。 新排列的晶体称为外延层，有外延层的硅片称为（硅）外延片。 与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度低于熔点许多 外延是在晶体上生长晶体，生长出的晶体的晶向与衬底晶向相同，掺杂类型、电阻率可不同。n/n+，n/p，GaAs/Si。 3.1.2 外延工艺种类 按材料划分：同质外延和异质外延 按工艺方法划分：气相外延（VPE)，液相外延(LVP)，固相外延 (SPE)，分子束外延（MBE) 按温度划分：高温外延(1000℃ 以上)；低温外延(1000℃ 以下)；变温外延--先低温下成核，再高温下生长外延层 按电阻率高低划分：正外延--低阻衬底上外延高阻层；反外延--高阻衬底上外延低阻层 按外延层结构分类: 普通外延，选择外延，多层外延 其它划分方法：按结构划分；按外延层厚度划分等 同质外延又称为均匀外延，是外延层与衬底材料相同的外延。 异质外延也称为非均匀外延，外延层与衬底材料不相同，甚至物理结构也与衬底完全不同。GaAs/Si 、SOI（SOS）等材料就可通过异质外延工艺获