CuAlO2薄膜的Raman谱表征及介电行为研究.pdfVIP

2013年第 15卷第 3期 巢湖学院学报 No．3．，Vo1．15．2013 总第 120期 JournalofChaohuCollege GeneralSerialNo．120 CuAIO2薄膜的Raman谱表征及介电行为研究 江海锋 汪贤才 臧学平 吴卫锋 (池州学院机械与电子工程系 ，安徽 池州 247000) 摘 要：本文研究了铜铁矿结构 CuA10：薄膜 的变温 Raman谱和介电行为。研究结果表 明：体 系存在 电声子耦合，声子非谐衰减是峰频移动、峰宽展宽的主要原因。介电弛豫频率随温度的 上升 向高频方向移动 ．并且弛豫过程的激活能和 电输运过程 的激活能基本相当．说明两者间 存在紧’密的关联。该结果对进一步研究铜铁矿型材料 的晶体结构和应用性能具有指导意义。 关键词 ：CuA102薄膜；Raman谱 ；介 电常数 ；介 电损耗 中图分类号：TB34 文献标识码 ：A 文章编号 ：1672—2868(2013)03—0051—06 1 引言 在近来的研究中，Li等人 11『在 CuAlO：及具有铜铁矿结构的类似材料 中发现负热膨胀效应，因此 电 导率 、Seebeck系数和激活能等被广泛的研究[2-6]，用于解释上述 的现象。在 CuAlO结构中，500K以上 ， 电导率的快速增加被认为与小极化子 电导有关，也就是说体系存在电声子耦合171。Ishiguro等人8J【观察到 了沿 口轴的平均热系数是 c轴方 向的3倍，并且AZD 层表现出了各 向异性的热振动行为。因此变温 Raman谱的研究对于理解体系的物理性能，空穴输运及负热膨胀效应是非常重要的。到 目前为止，Por． res等人9[1研究了CuA102单晶及 CuAlO2多晶的Raman散射㈣，但是CuA102薄膜 Raman研究 【“】报道的 较少 ，所 以在本文中，我们通过化学溶液法在氧化铝 (001)面上制备 了外延的CuAlO：薄膜 ，并研究了它 的变温 Raman散射行为。 CuAlO 引起广泛关注的根本原因在于其复合了可见光区透明性和P型电导率l2【，埘。这种材料可以 被用于臭氧传感器口4／．光催化氢还原旧及很多的光电子领域 。因此，研究它的电学性能对于器件 的发展 是有帮助的。在本文的第二部分，借鉴Prakash等人 【6·1的研究方法，我们研究了CuAlO 薄膜 的介电性 能。期望通过本文的研究，对铜铁矿结构材料的晶格热振动和电学性能有较全面的认识 。 2 样品制备及测试 2．1样品制备 用化学溶液法制备了单晶氧化铝衬底上的CuA10薄膜 ，制备过程与过去文献报道 类似。只是需 要控制薄膜的厚度为 300nm左右，这样方便 Raman信号的收集 。用于介 电研究的薄膜 ，先将其镀在 收稿 日期 ：2013—04—18 基金项 目：安徽省自然科学基金青年项 目(项 目编号：1308085QA18)；安徽省2011年度重点科研项 目(项 目编号：11070203010)； 安徽省高等学校省级 自然科学研究项 目(项 目编号：KJ2013B172)；池州学院研究生启动项 目(项 目编号：2011RC030) 作者简介 ：江海锋 (1981一)，男，安徽池州人。池州学院机械与电子工程系讲师，博士。研究方 向：功能材料的制备与物性研究。 5l A 和 声子频率和线宽随温度变化在图4(a)和(b)中给出。声子频率随温度的变化可以用晶格 热膨胀 ，极化子效应以及非谐声子耦合来解释 ，具体可以表达成下面的式子 ： r=∞0+A-(Oe(T)+A d(T) (1) 一．．E0一芒∞ 芒m量 式中第一项代表了光学模式的简谐频率，第二项代表了由热膨胀而导致的与声学模的耦合，第三项反 映了与其他光学声子的非谐耦合 。 热膨胀项A ()可 以写成