自上而下制作硅化镍纳米线研究.pdfVIP

2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会论文集 Proceedings 2006 “自上而下”制作硅化镍纳米线 罗强，岳双林，顾长志 (中国科学院物理研究所微加工实验室，北京100080) 摘要：随着微电子技术的迅猛发展，金属硅化物已被用于减小源漏和栅区的接触电阻。另一方面，由于金属硅化物具 有较低的电阻率、高的热稳定性，良好的抗电致迁移性能和难扩散于氧化硅和硅等优点，有希望被用作互连材料。因 此，金属硅化物纳米结构的电学特性研究受到了很大的关注。对于自对准硅化物中更有前途的硅化镍，已经有了一些 关于其纳米线的制备和电学特性表征的报道，但是这些硅化镍纳米线都是通过“自下而上”的方法制备的，难以控制 其在确定的位置生长，因而并不适合集成电路生产。提出了“白上而下”制作硅化镍纳米线的方法，研究这样制备的 纳米结构对于集成电路制造技术将更有应用价值。 关键词：硅化镍；纳米线；制备技术；自上而下 0引言 随着微电子技术的迅猛发展，器件尺寸不断缩小，集成电路芯片的集成度和性能都得到了很大提高，‘但也带来了 一些新的挑战。例如，为了抑制短沟道效应，需要减小源漏极的结区深度，控制接触电阻和源／漏极串联电阻。金属 硅化物具有良好的热稳定性，能与硅形成平整的界面，与硅的接触电阻率低，已经被应用于接触金属化，以减小源漏 和栅区的接触电阻…。另一方面，为了减小信号的传播延迟，需要降低互连线的电阻和互连线间的电容，这可以通过 选择低电阻率的导电材料作为互连线和低介电常数的材料作为互连线间的绝缘介质两种途径解决。就互连材料而言， 铝线因电致迁移问题易导致集成电路失效而遭人诟病，铜互连技术的引入可以避免电致迁移效应带来的可靠性问题， 而且铜具有更低的电阻率，这些明显的优势驱动着铜取代铝应用于集成电路互连。与传统的铝互连相比，铜互连所面 临的难以刻蚀和易扩散于氧化硅和硅等问题，通过大马士革工艺(damasceneprocess)和阻挡层金属处理等手段， 目前已经基本得到解决。尽管铜互连和低介电常数介质的应用可以缓解今后几代高性能集成电路的互连问题，但是随 着器件尺寸的迸一步缩小，也需要考虑其它导电材料作为可能的选择。金属硅化物具有较低的电阻率、高的热稳定性、 良好的抗电致迁移性能，难扩散于氧化硅和硅，以及在硅基上可以实现自对准生长等优点，也有希望被用作互连材料。 因此，金属硅化物纳米结构的制备和其电学特性的研究，对于它们在未来集成电路中的潜在应用具有重要意义，并且 已经受到了很大的关注。 在目前新兴的自对准硅化物(self—aligned 积相应的金属薄膜，然后进行退火使金属与硅发生固相反应而合成的。在有硅的区域，金属与硅反应形成硅化物，而 在其它区域没有硅化物形成，因『面可以在芯片的硅基结构上实现自对准生长。TiSiz、CoSiz和NJSi是自对准硅化物中 的主要材料，其中NiSi由于具有电阻率低、反应过程中耗硅量少、硅化温度低等优点，成为目前最为看好的一种硅 化物…。关于Nisi纳米结构的研究已有所报道，例如YueWu等人”利用化学气相沉积(CVD)方法合成si纳米线， 生妖出了NiSi纳米线：JoondongKim等人“““采用碰控溅射的方法在Ni薄膜沉积si的过程中也自然生长出了NiSi 纳米线；S．Y．Chen等人…1采用反应沉积外延生长的方法在si衬底上得到了NiSiz纳米线。这些研究工作都非常有 ·142· 毋9煦盎童。熊 2006第五届中国(嗣际)纳米科技西安研讨会论文集 价值，然而他们的纳米线都是通过“自下而上”的方法制备的，难以控制其在确定的位置生长，因而很难应用于集成 电路生产。为了研究可控生长的金属硅化物的电学特性，更加贴近集成电路生产实际，在本文中，我们提出了“自上 而下”制作NiSi纳米线的方法，这对于集成电路制造技术将更有应用价值。 1实验过程 采用“自上而下”的方法制作NiSi纳米线的过程主要分为两步。第一步是采用电子束曝光和反应离子刻蚀韵方 法，在SOI(siliconon 成NiSi纳米线，整个制作过程如图1所示。 (s．)电子束直写纳来线(b．)刻蚀形成si纳米(c．)沉积空属 (d．)反应形成NiSi