基于阈值电压的PSi+TFT模型研究进展研究.pdfVIP

基于阈值电压的P—SiTFT模型研究进展‘ 欧秀平，姚若河 华南理工大学微电子所，广州510640，—Cindy．oxp@—gmail,corn 摘要：基于闲值电压的P—SiTFT分区模型是目前主要的P—SiTF-I模型。本文首先对目前基于阁值电 压的P—SiTFT模型研究现状进行了分析，在此基础上重点介绍了三种典型的已用于电路仿真器中的 SPICE模型：RPI模型、S一1Fr模型与L Pappas模型。最后对当前的建模工作进行了总结与展望。 关键词：多晶硅薄膜晶体管，阈值电压，模型 Research in ThinFilmTransistor ProgressPolysilicon basedonThreshold Modeling Voltage Ou Ruo-he Xiu—ping，Yao Instituteof China af Microelectronics，SouthUni,mrsityTedmolo留，G啪gzh∞510640 filmUxnsistordivisionalmodelbased∞thresholdistI-cmllillP—SiTFTmodel thin voltage presently． Abstract：Polysilicon This reviewstheresearch in thinfilmtransistor ba。edOil introduce paper progresspdysilicon modeling threshold训纽萨，and three SPICEmodelsthathaveusedinthecircuit and model．S0me渺 typical simu]ators：RPImodel，S一啊叩moddI．Pappas ofthe are search for P—si矸Tmodel intheend． strategiesimprovement proposed Keywords：P—si l玎可，th他sholdvoltage，model 1引言 1973年，Brody等人用CdSe TFr所做成的产品在低价大屏幕显示的领域中占据了市场的绝大部分份额。近年来，多晶硅薄膜晶体管(P 适应集成电路设计与仿真的需要。 由于基于闻值电压的分区模型较为简单，它假定在阈值电压以上，表面势是恒定的，而在阈值电压以 下，表面势与栅压呈线性关系，因此目前大部分的P—SiTFT模型都是基于阈值电压的分区模型。 2主要的SPICE模型 件模型的基础上增加了各种P—SiTFT特有的物理效应以使模型与实验结果更为吻合。晶粒间界的存在是 ·基金项目：国家自然科学基金资助 347 多晶硅与单晶硅最主要的差别，因此人们着重研究晶粒间界陷阱态以及其在禁带中的分布对多晶硅TFrr阈 值电压的影响”】。而随着P—Si薄膜制备技术的进步，P—SiTFll朝着大晶粒、小尺寸的方向发展，短沟效 应、窄沟效应、漏致晶粒间界势垒降低(DIGBL)效应等随之两来，这些效应将引起阈值电压的漂移，因此模型 也要考虑它们所带来的影响，以适应工程应用的要求。建模的最终目的是建