L-半胱氨酸分子辅助溶剂热合成铜铟硫光伏材料.pdfVIP

第39卷 增刊1 稀有金属材料与工程 V01．39，Suppl．1 2010年 6月 RAREMETAL～iATERIAI。SANDENGn叮EERJNG June2010 L．半胱氨酸分子辅助溶剂热合成铜铟硫光伏材料 蔡文1，胡 杰1，赵寅生1，向卫东，钟家松2，刘丽君2 (1．同济大学，上海200092) (2．温州大学，浙江温州325035) h合成了CulnS2微晶。用X射线粉末衍射仪、X射线光电子能谱、场发射扫描电子 DMV)为溶剂，在180℃下反应16 显微镜对产物的结构、形貌、相组分进行表征。结果表明产物是由厚度为10^一50ilm纳米片组成的球状CulnS2微晶。并 对由纳米片组成的球状CuInS2微晶的形成机理进行了简单探讨。 关键词：溶剂热；CulnS2光伏材料；球状微晶；纳米片；L．半胱氨酸 中图法分类号：061l；TB34文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2010)S1-409-04 CuInS2是I．III．Ⅵ2化合物半导体材料，具有黄铜方面。本研究首次采用L．半胱氨酸为硫源，以DMF为 矿结构。其禁带宽度为1．50eV，接近太阳电池所需的 溶剂在溶剂热条件下(180℃，16h)合成了纳米片组成 最佳禁带宽度(1．45eV)，且对温度的变化不敏感， 因此不需要添加其他元素来调整其禁带宽度，从而简 行了简单探讨。 化了太阳电池生产过程，提高了生产的稳定性[卜71。 1 实 验 CuInS2材料的吸收系数高达105cm～，以其作为太阳 电池的光吸收层，厚度仅需1～2岬，大大减少了原材 料的损耗。据报道以其作为高效太阳能电池的光学吸 收器，光电转换效率已经达到12．5％【8-14]。 基甲酰胺(DMF)都为分析纯。实验步骤如下：先称取 目前许多工艺已应用至UCulnS2纳米材料的制备方 面，包括溅射法、电沉积法、化学气相沉积法、真空蒸 mmol的氯化铟加入到上述溶液中，搅拌使之溶解； 最后将2．63mmolL．半胱氨酸加入到上述混合液中， 发法(单源、双源、三源)、热解法，溶剂热法等[15,16]。 其中溶剂热工艺在湿化学合成纳米材料方面具有独特 然后在不断搅拌下滴加HCl(4mol／L)形成澄清溶液后 转入容积为50mL的聚四氟乙烯内衬压力釜中后密 的优势。为了合成特殊形貌的CuInS2纳米材料，近年 来研究者在硫源的选择上做了很大努力。S．Gorai等【l，4】封，在180℃条件下恒温16h，自然冷却至室温。将 以硫脲为硫源合成了CulnS2微米棒及星形片状微晶，所得的产物分别用无水乙醇和去离子水洗涤数次，将 Hu等【3】以硫脲为硫源合成了花状CuInS2微晶，Han等【5】可溶性物质除去。最后把在真空干燥箱中干燥(60 ℃，3 以硫脲为硫源合成了CulnS2量子点，Yu等[171以硫脲为h)后得到的样品用于检测。 硫源合成了立方态CuInS2晶体；Hu等【3】以KSCN为硫所有的测试均在室温下进行。将所得黑色粉末用 BrukerD8 06 源合成了CuInS2微球；Peng等t18】以硫代乙酰胺和硫代 X射线衍射仪(XRD；铜靶，2=0．154 nm，加速电压40kV，扫描范围100～700，扫描步长 硫酸钠为硫源合成了CuInS2微球；Zheng等【l习以升华 ULTRA