一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT.pdfVIP

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2018-04-06 发布于北京
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一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT.pdf

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一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT.pdf

第10卷第1期信息与电子工程 V01．10。No．1 ELECTRONICENGINEERING 2012年2月 INFORMATIONAND Feb．，2012 文章编号：1672—2892(2012)01-0114-04 关旭，吴琼乐，王泽华，柏文斌，管超，陈吕赘 (电子科技大学功率集成技术实验室，I匹l Jll成都610054) 摘要：提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)。该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构，并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构，相比于普通的LIGBT，它的正向压降更低，开关速度更快。文章对器件的一些关键参数(如 P．drift区掺杂浓度、阳极栅宽度和载流子寿命)对器件关断时间的影响进行了仿真。仿真结果表明，提出的新型结构器件与常规LIGBT器件相比。关断速度可以提高30％。关键词：横向绝缘栅双极型晶体管；超结器件；阳极辅助栅；关断时问中图分类号：TN303 文献标识码：A Novel withanodeassistantonS01substrate SJ—LIGBT gate GUAN Xu，WU Ze·hua，BOWen-bin，GUANChao，CHEN Qiong—le，WANG Lv-yun Siehuan (PowerIntegratedTechnologyLaboratory，UESTC，Chengdu610054，China) newLateralInsulatedGate SiliconOn Abstract：A BipolarTransistor(LIGBT)onInsulator(SOI) assistantstructure substratewith andanode is anddiscussed． SuperJunction(SJ)technologygate proposed showslow tothe and Thisdevice on-state due SJstructure withthe voltage high drop switchingspeed ofanodeassistantstructure．Simulationsabouthowthe ofPdrift adoption gate keyparameters(doping ofanode theturn—offtimeare andtheresultsshowthat region，lengthgate)influence performed switching ofthe devicecanbe