双面阶梯埋氧层部分SOI高压器件新结构.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $+ ! * ! ， ， ， P1/ 9$+ I1 9 ! 8051SD6 * （ ） !?,QZ*Z$+ ! Z)$)$?) [(\[ K]^7’([ 7’I’([ !* (C.2 9 KCU- 9 710 9 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 双面阶梯埋氧层部分!# 高压器件新结构 ）） ） ） ! # 李 琦 张 波 李肇基 !）（桂林电子科技大学信息与通信学院，桂林 $%!% ） ）（电子科技大学 设计中心，成都 ） ’( )!$% （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） * ! + * , % 提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅（ ， ）高压器件新结构 双面阶梯埋氧层的附加电场对表 -./.012 12 .2-3/4516 7’8 9 面电场的调制作用使表面电场达到近似理想的均匀分布，耗尽层通过源极下硅窗口进一步向硅衬底扩展，使埋氧 层中纵向电场高达常规 结构的两倍，且缓解了常规 结构的自热效应 建立了漂移区电场的二维解析模型， 78’ 78’ 9 获得了器件结构参数间的优化关系 结果表明，在导通电阻相近的情况下，双面阶梯埋氧层部分 结构击穿电 9 78’ 压较常规 器件提高 ，温度降低 — 78’ $*: ! , ; 9 关键词：双面阶梯，埋氧层，调制，自热效应 ： ， $% +,% %= 耐压9 !G 引 言 器件击穿电压由纵向和横向击穿电压的较小者 决定 常规 结构为了提高其击穿电压，耐压层 9 78’ 近年来，对绝缘硅（ ， ）功率 -./.012 12 .2-3/4516 78’ 全部耗尽，漂移区掺杂浓度必须较低9 纵向耐压由 集成电路的研究十分活跃9 78’ 技术以其理想的介 漏端下漂移区和埋氧层厚度决定9 常规 K78’ 结构 质隔离性能，相对简单的隔离工艺等优点，使功率