In05Ga05PGaAs二维空穴气p沟异质结场效应管.pdfVIP

Ino.,Gao.,P/GaAs二维空穴气A沟异质结场效应管 陈效建 徐红钢 高建峰 郝西萍 南京电子器件研究所 南京 210016 摘要:本文提出了一种新颖的GaAs基P沟异质结场效应管(HHFET)概念，器件采用了In0.5Gao.5P/GaAs 异质系统及二维空穴气2((DHG)原理以改善GaAs的空穴输运特性.据此原理研制的器件可在室温下工作， 其实验结果为:室温下，饱和电流Idss61mA/mm，跨导gm=41mS/mm;77K下，饱和电流Idss-94mAlmm 跨导gm6lmS/mm.这一结果远好于国外同行采用AlGaGaAs和AIGaAs/InGaAs异质系统取得的 PHFET的早期结果.预计该琴件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益，因而具有良好的应用 潜力。 一、 引言 由于在III一v族化合物半导体内空穴的迁移率与电子的存在较大的差异，导致了P 沟FET跨导较低，开关速度慢，从而严重地阻碍了III一v族吻 沟互补逻辑电路在数字 IC中的应用。 为了改善化合物半导体内空穴的输运特性，我们认为目前最有效的方法是:基于 “能 带工程”和调制掺杂的概念，通过异质界面的量子效应来提高 “局域化”空穴的迁移率及 饱和速度。类似于HEMT器件中要求异质系统有较大的导带不连续性AE,以提高二维电子 气((2DEG)的特性，对于空穴的P沟异质结场效应管，则应有尽可能大的价带不连续性△Ev。 限于材料生长技术的成熟性，迄今，国外1PI沟器件的研究主要围绕GaAs基的AIXGal-XAs /GaAs.A1XGa1-XAs/InyGal.YAs及InP基的InXAII-xAs/InyGal-声s异质系统进行1并已 取得了很好的结果 1‘-2’，但对上述异质系统而言，无例外地具有△EcAEv的共同特点， 存在着限制空穴的输运特性获得最大改善的缺点 。 二、 原理 不同于上述异质系统，在国家自然科学基金的资助下，我们首次提出了采用InGaP/GaAs 异质系统进行新型P沟HFET的研究。与上述国外同行所采用的异质系统相比，InGaP/GaAs 的优势在于: 1)InGaP/GaAs系统具有更大的价带不连续性。我们实验测定的AEI316mev，3’ AEv/AEc=2.21，从而在P沟HFET设计中实现了AEvAEc，故可以推测量子势阱内二维空 穴气的空间限制效应更强，高场输运特性应有更大的改善。2)InGaP的电子具有良好的速 场特性，迁移率与饱和速度都与GaAs相近(4)，因而利用InGaP/GaAs异质系统研制n/p互 补逻辑电路时，器件设计的灵活性极大，远优于含AlGaAs的异质系统。3)InGaP材料中不 存在AlGaAs内讨厌的DX中心，因而具有更好的低噪声性能。此外，由于禁带较宽，材料 不易氧化，表面复合率低，有助于提高器件工作的稳定性.4)无论采用湿法或干法腐蚀工 艺，InGaP与GaAs之间有很高的选择腐蚀比，因此器件制备较易c3一6’。此外，随着 216 . 尸~ InGaP/GaAsHBT的研制进展，InGaP异质材料的外延生长技术也日趋成熟. 在理论分析的塞础上，先后提出了四种InW /GaAs的P沟HFET的异质结构设计。考 虑到材料及器件工艺的难易，通过实验对比，作者采用二维空穴气的器件结构，以尽可能 地改进沟道内空穴载流子的输运特性。这一优化的异质结构如图1所示。由于能带不连续， InGaP中的受主杂质电离后产生的空穴将转移到GaAs中，并在异质结构界面引起能带弯曲， 如图2所示，从能带图可以看出，在界面处GaAs一侧对于空穴产生一近似三角形的量子势 阱，处于势阱中的空穴在与界面垂直方向无法自由运动，仅能压缩在平行于界面的一平面 薄层内运动，形成具有很高面密度的高迁移率的 “二维空穴气”(2DHG)，这是器件的有源 沟道，由于沟道层与空穴供给层(掺杂p-InGaP层)在空间上是分开的，在沟道中没有离化杂 pCYdAS } i-GaAs 2