自组织SiGe量子环的生长与形貌维持研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 自组织SiGe量子环的生长与形貌维持 李防化，蒋最敏 (复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海，200433) 摘要：研究了640℃部分覆盖SiGe量子点时量子点向量子环的转变。从应变的角度解释 了量子环的形成机制。研究发现在350C以下覆盖量子环时可以使量子环形貌得到很好的 维持。从动力学的角度解释了低温下覆盖SiGe量子环时其形貌为何能得到维持。 PACC：8100，8115N，68．55，8110 1．引言 近年来量子点u一1由于其在基础研究和光电器件中的潜在应用而引起人们越来越多的 关注，是目前比较热的研究领域之一。研究发现在适当的条件下部分覆盖量子点时可以形 成量予环∞“1。作为一种新的纳米结构量子环具有更高的振荡强度崎1，较高的发光峰位№。， 环状的电子结构川等量子点所无法比拟的物理特性。这使得量子环在光电器件应用方面有 着更加广阔的前景，从而预示了其在工业中潜在的巨大应用价值。SiGe量子环由于与现在 的半导体工艺相兼容，在器件应用方面更是有着得天独厚的优势，而量子环在做成器件时 必须被埋在Si中，因此对SiGe量子环生长机制及其形貌维持的研究更是具有非常重要的 意义。本文主要介绍SiGe量子环的制备，形成机制，以及如何在覆盖Si时维持量子环的 形貌。 2实验 样品的制备是在一台型号为Riber—EVA32超高真空固源si分子束外延系统上完成。 衬底在生长室中1000℃加热10分钟，Si衬底表面起保护作用的氧化膜被蒸发掉从而获得 清洁的表面。量子环的制备如下：首先在640℃生长50nm厚的Si缓冲层，然后利用两步 生长法生长尺寸比较均匀的SiGe量子点旧1，量子点生长完毕后在640℃覆盖14．6A的Si 即可形成量子环。有几块量子环样品分别在不同的温度下覆盖不同厚度的si以研究覆盖 温度，覆盖层厚度对量子环形貌维持的影响。Si和Ge的生长速率分别为0．3A／S，0．1A／S。 所有的样品在生长完毕后迅速降至室温。样品表面形貌(AFM图)的观察在NT-MDT公司型号 为P47一SPM．佃T的原子力显微镜上完成。 3．结果与讨论 图1系统的说明了SiGe量子点向SiGe量子环的转变：刚刚长好的量子点是穹形的， 其面指数为{113}；640℃覆盖3．2Asi时SiGe量子点底部直径变大，高度变小，同时面 指数变为{104广1，即转变成{104)面金字塔形量子点；当覆盖7．7Asi时SiGe量子点变 为平台结构的量子点；在si的覆盖厚度为14．6A时，量子点转变成量子环。 对量子环形成机制的解释目前主要有两种观点。一种基于动力学的考虑u…，另外一种 基于热力学的考虑u1。。然而SiGe量子点是通过S-K模式形成的，是一种应变释放的过程。 通过X射线衍射试验可以发现SiGe量子点处于一种应变状态u引，因此从应变的角度来解 释SiGe量子环的形成机制更加合理。从量子点底部到顶部其应变逐渐减小，这样晶格常 数在量子点顶部接近Ge而在底部接近Si，量子点核心部分应变最大。对于没有覆盖si的 量子点从量子点边缘到顶部其晶格常数从小变大，对Si来说是一个从晶格匹配到晶格失 配的过程。当Si覆盖到SiGe量子点上时，量子点顶部相对于Si来说是晶格失配的，因 而si原子不易在顶部稳定下来，在较高的温度下会表面迁移到晶格更加匹配的量子点边 3】。 缘附近，同时覆盖到润湿层(wettinglayer)上的Si也会有一部分迁移到量子点的边缘u 这样由于新覆盖的Si的聚集，在量子点项部的Ge与边缘部分的si之间就形成了一个浓 度梯度，由于Si在量子点的边缘附近晶格匹配，使得覆盖的Si更适亍在量了点的边缘部 分聚集，由于浓度梯度的作用量子点顶部的Ge就会通过表面扩散向量子点的边缘甚至润 湿层迁移u副并与那里的Si互混。与此同时原来处于量子点核心部分现暴露于量子点表面 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 的Ge比原来位于表面的Ge处于更大的应变状态，从而更加容易迁移。覆盖的Si越多形 成的浓度梯度越大，量子点核心部分的Ge的迁移量就越多，从而在一定的Si覆盖厚度下 形成量子环