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GaAs开关矩阵 白锡 巍 信息产业部 电子十三所 邮编050051 1. 弓I言 GaAs开关具有速度快、隔离度高、驱动功耗低等特点n它在雷达、 通讯、电子对抗 等系统 中己得到广泛应用 ，促进 了系统性能的提高 。反 过来 ，系统性能的提高又对GaAs开关提 出r更高的要求 。一方面要求单 个开关具有更高 的电性能，如使用频率更高、隔离度 更高、插损史低 、 速度更快、控制更为方便(与TTL或CMOS电平兼容)、驱动功耗更小等等 另一方面要求将开关集成，即实现开关矩阵，完成更为复杂的功能，满 足先进 的整机系统 的要求 。 为了研制出性能优 良的开关矩阵，我们设计 了一种电路结构新颖的 GaA.s单片单刀单掷开关。它不但具有开关速度快、隔离度高、驱动功耗 极小等特点，而且能与TTL电平兼容，单电压供电，供电电流几乎为零， 便于集成。用这样26个单元开关混合集成了GaAs开关矩阵，它可以按时 域完成对信号的组合与分离 。这是 国内第一个报导的GaAs开关矩 阵。 2. 设计 2.1 矩 阵中单元GaAs单片开关设 计 开关矩阵中单元开关是核心，由于应用开关数量较多，除了要达到 高的电参数水平要求外 ，在设计 中还必须解决两个 问题 。一是开关 自身 电路结构和应用 电路要简单，使 电路版 图布线简化便于集成 。另一点是 开关的控制电平要与TTL电平兼容，这是大多数系统的要求。 我们知道GaAs开关是通过MESFET的源漏阻抗的变化来完成开关功 能的，改变源漏阻抗的栅 电压是相对源漏 电位而言的。据此我们设计 了 一种简单实用而新颖 的开关 电路结构 ，如 图l所示 。 RF。、土‘ 制电 +r入 图1 与TTL电平兼容 的GaA。开关 电路 图 - 249- 从电路 中可以看出，只需单电源供电就解决了GaAs开关的控制电 平与 TTL电平兼容问题。由于MESFET的栅和源为反向隔离，不但控制 驱动功耗几乎都为零，供电电流也几乎为零。 研制 中只要 设计并制备好 电路 中的 GaA.sMESFET,就可以得到一个 电参数优 良的开 关 GaAs单片开关的速度按如下公式近似设计。 tr(tf) -2.2RXCg 、 2.2X2000(。)XI.OE-12(pf)。 - 4.4ns 其中，与栅串联的RF阻塞电阻设计为200052,MESFET栅 电容的最大值， 按设计为:1.OE 12pfo 2.2 开关矩 阵工作原理 根据所应用的系统要求，开关矩阵原理图如图2所示，共有14个独 立的输入端门和12个输出端日。使用时根据要求可将若于输入或输出端 口分组直接连接 ，实现对输入信号在不同通道的高速分离和重新组合的 功能 。 图2 开关矩阵电原理图 研 制 结 果 3.1 开关矩 阵 上要参数 工作频率 :10- 100MHz,通道 的通断 比:65dB:通道 间的隔离度 : )65dB;通道插损 :2.5dBc群延迟波动 :-5ns。 开关速度 :IOns. - 250- 特性 曲线 1 1 --一一--— 一 -一一-— 一1曰曰.“..日.1 {亩益谕画画 } 于J，，书.苦通号二』业目毛t:卜成 ‘J吃‘