调制掺杂ZnMgOZnO异质结构中的二维电子气.docxVIP

·138·材料导报B：研究篇2014年7月(下)第28卷第7期调制掺杂ZnMgO／ZnO异质结构中的二维电子气+ 周远明，钟才，梅菲，刘凌云，徐进霞，王远，张冉 (湖北工业大学电气与电子工程学院，武汉430068)摘要 基于调制掺杂的ZnMgO／ZnO异质结构模型，通过自洽求解一维泊松一薛定谔方程，研究了掺杂浓度、 空间层厚度对ZnMgO／ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明：ZnO沟道中的 二维电子气主要来源于极化效应诱生的电子和掺杂层转移的电子，通过改变掺杂浓度和空间层厚度可以有效地调控 异质结中的二维电子气。采取的研究方法和所得结果可以为ZnO基异质结构及相关器件的构筑提供基础。关键词 ZnMgO／ZnO异质结二维电子气调制掺杂中图分类号：TN303；0472 文献标识码：AThe Two-dimensional Electron Gas in Modulation-doped ZnMgO／ZnOHeterostructureZHOU Yuanming，ZHONG Cai，MEI Fei，LIU Lingyun，XU Jinxia，WANG Yuan，ZHANG Ran(School of ElectricalElectronic Engineering，Hubei University of Technology，Wuhan 43006