软件工程专业优秀论文扩散在线goi改善.docVIP

软件工程专业优秀论文扩散在线goi改善.doc

  1. 1、本文档共27页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
软件工程专业优秀论文扩散在线goi改善

软件工程专业优秀论文 扩散在线GOI改善 关键词:可靠性测试 薄栅介质 抗击穿能力 介质膜 摘要:GOI(Gate Oxidation Integrality)是用来对栅氧质量完整性和可靠性测试的一种重要手段,主要是评价薄栅介质在应力作用下抗击穿能力。根据施加应力不同又可以分为QBD(在介质膜上施加恒定电流J测试其击穿)和VBD(在介质膜上施加Ramp电压测试其击穿)等类型,评价GOI结果的主要参考指标为测试样品的失效密度D0。   目前我们扩散部(华润上华公司)在线GOI监控方式频频失效,为了整体提升扩散GOI并最终达成GOI VBD D0amp;lt;1,即零缺陷的目标,我们进行五个方面的优化工作:   1.衬底片   由原来的CZ硅片更改为Hi硅片,试验的结果表明Hi硅片的GOI优于CZ的。这样做能够更准确地监控在线GOI的情况;   2.颗粒更换了清洗设备的过滤器(0.15μm),并开始测试0.15μm尺寸的颗粒,使在线的颗粒有了明显的下降;   3.清洗工艺菜单   更改了清洗菜单中SC2和各酸液后的冲水温度;   4.栅氧菜单   在现有的生产菜单中经过试验选择出G3231(氯气氧化)菜单为最佳菜单;   5.GOI测试模块   优化了测试模块,选择更接近现实工艺的Polycide为在线GOI的工艺模块。   通过以上五个方面的工艺优化改善了GOI失效的问题,同时针对清洗设备进行改进:加装0.05μ m的纯水过滤器和IPA甩干系统,这样一来大大提高了在线GOI的良率,达到零缺陷的目标。 正文内容 GOI(Gate Oxidation Integrality)是用来对栅氧质量完整性和可靠性测试的一种重要手段,主要是评价薄栅介质在应力作用下抗击穿能力。根据施加应力不同又可以分为QBD(在介质膜上施加恒定电流J测试其击穿)和VBD(在介质膜上施加Ramp电压测试其击穿)等类型,评价GOI结果的主要参考指标为测试样品的失效密度D0。   目前我们扩散部(华润上华公司)在线GOI监控方式频频失效,为了整体提升扩散GOI并最终达成GOI VBD D0amp;lt;1,即零缺陷的目标,我们进行五个方面的优化工作:   1.衬底片   由原来的CZ硅片更改为Hi硅片,试验的结果表明Hi硅片的GOI优于CZ的。这样做能够更准确地监控在线GOI的情况;   2.颗粒更换了清洗设备的过滤器(0.15μm),并开始测试0.15μm尺寸的颗粒,使在线的颗粒有了明显的下降;   3.清洗工艺菜单   更改了清洗菜单中SC2和各酸液后的冲水温度;   4.栅氧菜单   在现有的生产菜单中经过试验选择出G3231(氯气氧化)菜单为最佳菜单;   5.GOI测试模块   优化了测试模块,选择更接近现实工艺的Polycide为在线GOI的工艺模块。   通过以上五个方面的工艺优化改善了GOI失效的问题,同时针对清洗设备进行改进:加装0.05μ m的纯水过滤器和IPA甩干系统,这样一来大大提高了在线GOI的良率,达到零缺陷的目标。 GOI(Gate Oxidation Integrality)是用来对栅氧质量完整性和可靠性测试的一种重要手段,主要是评价薄栅介质在应力作用下抗击穿能力。根据施加应力不同又可以分为QBD(在介质膜上施加恒定电流J测试其击穿)和VBD(在介质膜上施加Ramp电压测试其击穿)等类型,评价GOI结果的主要参考指标为测试样品的失效密度D0。   目前我们扩散部(华润上华公司)在线GOI监控方式频频失效,为了整体提升扩散GOI并最终达成GOI VBD D0amp;lt;1,即零缺陷的目标,我们进行五个方面的优化工作:   1.衬底片   由原来的CZ硅片更改为Hi硅片,试验的结果表明Hi硅片的GOI优于CZ的。这样做能够更准确地监控在线GOI的情况;   2.颗粒更换了清洗设备的过滤器(0.15μm),并开始测试0.15μm尺寸的颗粒,使在线的颗粒有了明显的下降;   3.清洗工艺菜单   更改了清洗菜单中SC2和各酸液后的冲水温度;   4.栅氧菜单   在现有的生产菜单中经过试验选择出G3231(氯气氧化)菜单为最佳菜单;   5.GOI测试模块   优化了测试模块,选择更接近现实工艺的Polycide为在线GOI的工艺模块。   通过以上五个方面的工艺优化改善了GOI失效的问题,同时针对清洗设备进行改进:加装0.05μ m的纯水过滤器和IPA甩干系统,这样一来大大提高了在线GOI的良率,达到零缺陷的目标。 GOI(Gate Oxidation Integrality)是用来对栅氧质量完整性和可靠性测试的一种重要手段,主要是评价薄栅介质在应力作用下抗击穿能力。根据施加应力不同又可以分为QBD(在介质膜上施加恒定电流J测

文档评论(0)

153****9595 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档