光电检测技术课件第5-6节课.ppt

长春理工大学《激光原理》/jg/ 目标辐射： 探测目标或识别对象的辐射称为目标辐射。 背景辐射： 天空和地面是背景辐射源。 8、目标辐射与背景辐射 ? 谢 谢 ！ ? * * 光的发生一般有两种方式，即温度辐射与发光，温度辐射就是指物体在高温加热时的辐射，例如电灯变亮就是钨丝加热的结果。在温度引起的辐射之外的物体固有的有选择性的辐射现象统称为发光。发光又因激发方式和物质而有所不同，因此又分为光致发光，阴极射线发光，放射线发光，电致发光，注入式电发光等 E=hv=hc/lamda Lamda=hc/E hc=(6.626068 ×10-34 m2 kg /s) ×(3 ×108 m/s)=6.626068 ×10-34 ×3 ×108 (J*m)= 1.24(ev*μm) 1ev=1e*1v=1.60*10-19C*1v= 1.60*10-19J 1J=1N*m 1N=1kg*m/s2 (F = ma) * Ga镓;P磷; As砷; Si硅； LED的发光颜色和发光效率与制作LED的材料和制程有关，目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由于LED工作电压低(仅1.5-3V)，能主动发光且有一定亮度，亮度又能用电压(或电流)调节，本身又耐冲击、抗振动、寿命长(10万小时)。制造LED的材料不同，可以产生具有不同能量的光子，藉此可以控制LED所发出光的波长，也就是光谱或颜色。 史上第一个LED所使用的材料是砷(As)化镓(Ga) ，其正向PN结压降(VF，可以理解为点亮或工作电压)为1.424V，发出的光线为红外光谱。另一种常用的LED材料为磷(P)化镓(Ga)，其正向PN结压降为2.261V，发出的光线为绿光。 基于这两种材料，早期 LED工业运用GaAs1-xPx材枓结构，理论上可以生产从红外光一直到绿光范围内任何波长的LED，下标X代表磷元素取代砷元素的百分比。一般通过 PN结压降可以确定LED的波长颜色。其中典型的有GaAs0.6P0.4 的红光LED，GaAs0.35P0.65的橙光LED，GaAs0.14P0.86的黄光 LED等。由于制造采用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些LED为三元素发光管。 而GaN(氮化镓)的蓝光 LED 、GaP 的绿光 LED和GaAs红外光LED，被称为二元素发光管。而目前最新的制程是用混合铝(Al)、钙(Ca) 、铟(In)和氮(N)四种元素的AlGaInN 的四元素材料制造的四元素LED，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。 * 二极管所加的反向电压超过最大反向电压就被击穿.普通的二极管一旦击穿就会损坏.稳压二极管所加的反向电压达到其稳压值时就击穿.所不同的是稳压二极管工作在击穿区.随着反向电压的增加,稳压二极管的电流增大,电压几乎不变,稳压二极管不会损坏.稳压二极管在电路中工作在反向击穿区.在电路中反向连接. * * 光电检测技术 内蒙古大学 各位同学下午好！ 2007.11 光电检测技术 门克内木乐 E_mail: py_menkenei@ Office: 综合楼610室 Lab: 综合楼812室 课程内容 第一章 光电检测物理基础 §1.1 光电检测技术概论（1学时） §1.2 光辐射物理基础（1学时） §1.3 常用光源（2学时） §1.4 光在介质中的传输（4学时） §1.5 常用光学系统（4学时） §1.6 光学变换器件（调制器，4学时） §1.7 半导体基础知识与光电效应（4学时） 第二章 光电转换技术（探测器） §2.1 光电探测器（点，8学时） §2.2 热电探测器（点， 4学时） §2.3 光电成像器件（面， 4学时） 第三章 光电检测电路设计（4学时） 第四章 非相干与相干系统（8学时） 第五章 典型光电检测应用系统（微弱信号检测2 学时，其它2学时） 第六章 现代光谱检测技术（4学时） 上一节课内容回顾 光源 光学系统 被测对象 传输介质 光电转换 电信号处理 光学变换 hv hv hv s s+n hv s+n e 存储 显示 控制 e e e 光电检测系统的组成 名称 符号 定义 单位 辐[射]能 光量 Qe Qv 辐[射能]通量 光通量 Φe Φv 辐[射]强度 　 [发]光强度 Ιe 　 Ιv　　 辐射亮度 [光]亮度 Le 　 Lv　 辐[射]出[射] 光出射度 Μe　 Μv 辐[射]照度 [光]照度 Εe 　Εv 曝光量 Hv 以辐射形式发射、传播或接收的能量。 光通量对时间的积分。 焦[耳](J) 流[明]秒(lm· s) 以辐射形式发射、传播或接收的功率。 发光强度为Ιv的光源，在立体