电子电镀中若干新工艺和新技术研究.pdfVIP

2006年电子电镀学术报告会资科汇编 电子电镀中若干新工艺和新技术 郁祖湛 (复旦大学化学系200433) 摘要：文对电子电镀中若干新工艺新技术如芯片电镀、化学机械抛光、MEMS电镀、PCB工业 中采用不溶性阳极电镀铜工艺以及铜蚀刻液回收再生、无铅无镉化学镀镍、镀铂铌电极等进 行了简要介绍。 关键词：芯片电镀、化学机械抛光、瓶惦电镀、不溶性阳极、铜蚀刻液回收再生、无铅无镉 化学镀镍、镀铂铌电极 for SomeNewProcessesand Electronics Technologies Finishing YuZuzhan Fudan 200433 ChemistryDepartment，University andtechnologiesinelectromcsfmishing Abstract：Somenewpro∞s∞s suchaswaferplating， andcadmiumfree eCMP，MEMSplating，lead anodeand solutionforPCB mid niobmmelectlodeare mdlIstry recyclingofetching phtinizcd introduced． briefly stmctum，CMP，MEMS，leadandcadre／urnfree， Keywords：warerp!adng，Damascei～e niobiumelectrode EN，pladnizcd 0．前言 电子信息产业已成为我国第一大支柱产业，作为电子元器件生产的基础工艺，电子电镀 也取得了多方面进展，电子电镀及表面处理技术两个最大的推动力，一是电子元器件的微型 化，即向轻、薄、短、小方面发展，芯片的特征线宽已进入90纳米，正在向65纳米或更细 方向发展，印制线路的线宽／间距亦已进入微米级．；二是工艺环保要求日益严格，我国已 正式通过了中华人民共和国清洁生产促进法，欧盟二项指令(WEEE，ROHs)也即将全 面实施。 以上两个推动力使电子信息产业中的电镀及表面处理技术中出现了众多的新工艺和新 技术，下面只就我们所接触到并己在实践中取得应用的几个方面作一简单介绍。 1．芯片电镀 B 1997年9月，美国IM公司推出采用“大马士革”(Damascene)镶嵌工艺的芯片生 产线，这是半导体制造技术中里程碑式的突破，这是由于铜电阻率为1，67uo·cnl远小于 ii 铝的电阻率2．650·Gm，同时铜线电迁移寿命是铝线100倍以上，制造成本还低。特别 突出的一点变化是由干法变成湿法连线(电沉积)工艺，即出现湿法制程WetProcess。大 马士革铜互连技术如图t所示。 在大马士革铜互连技术中需要克服的重要难点之一，是微沟槽的充填问题，可能出现的 不良结果见图2。要使铜在沟槽充分均匀填满，需要采取特殊组成的镀液及电镀技术。 2006年电子电镀学术报告会资料汇编 目前，各单位推荐采用的镀铜液成分各不相同，其中较典型的有如下组成 基础液： Cu” 17，59／L H2S04 1759／L Cl。 50medL 加速剂(accelerator)2nd／L (如MPSA)