氧化锌纳米薄膜气敏性质的研讨.pdfVIP

中国颗粒学会第六届学术年会暨海峡两岸颗粒技术研讨会 6。AnnualConferenceofChinese Clim onParticle acrossTaiwan 2008年12月 SocietyofParticuologySymposiumTechnology StraitsDec．2008 氧化锌纳米薄膜气敏性质的研究 周康夫， 陆慧， 杨晓玲， 朱以华 (华东理工大学材料科学与工程学院超细材料制备与应用教育部重点实验室．上海200237) 表征其表面形貌．测试了其在不同温度下对于酒精的气敏性能，发现该ZnO纳米薄膜的最佳工作温度为2lO℃左右． 关键词：ZnO纳米薄膜；结构：形貌；气敏特性 本实验采用气体放电活化反应蒸气沉积技术，以下 1 前言 activereaction 简称GDARE(gasdischarge evaporation)， 随着科技发展和生活水平的提高，人类越来越远离 制备氧化锌单层膜，其反应机理如下： 大自然，处于各种人工合成材料的包围之中．这些人工 材料的大多数或多或少都会挥发出一些挥发性有机化 GDARE法沉积氧化物半导体薄膜主要包括以下三 个基本过程：(1)加热蒸发过程．蒸发金属zn由凝聚 合物(vocs)，如苯、甲苯、二甲苯、丙酮等．VOCs在 低浓度时会引起人类的慢性中毒，而在各种人造封闭性 相转变为气相的相变过程；(2)气化的Zn原子或分子 环境中(如居室、轿车等)富集到一定程度时，还能引起 在蒸发源和基片之间与氧等离子反应并输送的过程； 人类的急性中毒【1l【2】．目前大气中VOCs污染测定常用(3)蒸发原子或分子在基片表面的沉积过程，沉积物 的方法是气相色谱和质谱联用，测试费用高，操作复杂， 分子在基片表面由气相到固相的相转变过程，包括蒸气 而且不能连续、实时测抖3】【引．随着国际上半导体研究热 凝聚，成核，核生长，形成连续膜【6】．上述过程都必须 潮的掀起，人们发现某些金属氧化物具有特殊的气敏性 在真空环境中进行．否则蒸发物原子或分子将与大量空 能．通常这类氧化物在加热的条件下，接触到还原性气 气分子碰撞，使膜层受到污染；或者蒸发源被加热氧化 体，其自身电阻会发生变化，这可以从材料的外接电路 破坏；或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成连续的 上反应出来．人们称这类金属氧化物为气敏材料．ZnO 薄膜． 是最早使用的气敏材料，与广泛使用的SnO：相比，其 在密封的真空环境中，高纯度锌粉被加热然后升 工作原理基本相同，虽然其检测灵敏度比Sn02低，工华，然后通入氧气，锌蒸气在通过高压放电环的时候， 作温度高，但ZnO易于制备、来源广泛、价格便宜， 与氧气反应生成氧化锌蒸气，氧化锌蒸气在上升的过程 作为气敏材料，具有选择性好、性能稳定、检测方便等 中，遇到基底表面(导电玻璃或载波片)，即开始前述 优点，是一种理想的多功能气体传感材料． 的薄膜生长过程． 目前ZnO气敏元件主要有烧结型、厚膜型、薄膜 采用GDARE法制备薄膜的时候，采用钼片做成蒸 型三种．由于薄膜型ZnO，尤其是纳米结构ZnO薄膜具发舟，99．99％的分析纯锌粉作为蒸镀材料，基底采用洁 有灵敏度高、响应快、易于集成化等特点，具有更好的发 净的导电玻璃和载波片．在高真空下，通入适当的氧气， 展潜力和应用前景【51．对纳米薄膜型气敏元件的研究开 在所需气压值上控制抽气和进气的平衡，使得氧气分压 发，也是目前气体传感材料研究领域的重点课题之一． 动态的保持在所需数值．对放电环加以一定的负高压， 本文介绍了纳米ZnO薄膜的一种制备方法，并研