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中国电于学会’98敏感技术学术年会论文集 98年9月
垂直磁场与全旋转磁场测磁传感器原理一-
王国泰 王理丽 易秀芳
(中国科学院合肥智能机械研究所)
摘 要本文提出了一种新型全旋转磁场测磁传感器,这种传感器工作在磁
特性值饱和而磁场方向连续不断地旋转的状态。外磁场会使其瞬时旋转角速度发
生周期性变化,并因而产生反映外磁场的大小和方向的输出。
关健词 传感器 磁场沮盈 导航
磁放大器在60年代前后曾经风行一时,此后随着半导体中、大功率元器件的推广,磁放
大器使用的范围大大缩小。但磁放大器由于其坚固耐用、耐振动、抗辐射、使用温度范围广
等一系列优点,在恶劣环境下,包括在军用设备、核试验装里及野外环境中仍有不可替代的
应用范围。其中测盘磁场强度二次谐波磁制器就是其中的一种。
早期测量磁场强度的二次谐波磁调制器是在二个高导磁率坡莫合金磁芯上各绕一个激磁
绕组,而在外面绕一个公共输出绕组。当外磁场为零时,激磁绕组在磁芯中产生的磁感应强
度大小相等,方向相反,故输出绕组输出为零。当外磁场H不为零时,由于外磁场H和激磁场
强Hs在一个磁芯中相加,在另一个中相减,最后形成二倍频(指为激磁电源濒率的二倍)输出。
垂直磁场二次谐波磁调制器的结构(见图1)与之不同。它的磁芯由铁淦氧磁材料制造,
磁芯内部有一个槽,槽中有一个横向绕组。横向绕组上通以激磁电流,而在磁芯圆周上有一
个纵向绕组用作输出场强信号。当外加磁场强度H为零时,纵向烧组上没有输出,当只不为零
时,在纵向绕组产生一个二倍频的输出。其机理可从磁化曲线图中看出(见图2).
HE=H.+H,.
H.=H+Sinomt
当HEH。时,B矢蚤端点沿Y轴上下移动,磁感应强度在水平方向上的分量为Be不变。
但HmH.时,进入磁特性饱和段B值不再增大,B矢量沿图中弧线移动,此时B在水平方向分
量B,变小,在一个激磁周期中 B.的幅值大小变化二个周期。因此在纵向绕组中出现二倍频
的输出电压U..
外磁场Ho的大小决定了B,和输出电压的大小,因为Ho+H.,所以U.aff.。即可以用电压
中二次谐波的大小来测量磁场的大小。当H.极性相反时,二次谐波输出的极性也相反,也就
是说用垂直磁场二次谐波磁调制器可以测量磁场大小和方向,把此调制器配以转角伺服系统,
可以测到磁场的磁场方向和大小。如果采用二个传感器按90。方向安装,则可以根据二个传
感器测地磁场方向角,即
S,二HSinB
S二二H.CosB
:.H二二夕S;十S2
0 ‘二arctan(s,ls.)
204
在上述二种测磁传感器中,如果不加外磁场,而另加一个输入绕组输入一电流信号,此
电流产生一个磁场。其效果和外磁场一样,同样也会引起二次谐波输出,这就变成了二次谐
波磁调制器。也就是说把直流电流或电压信号变为与之成正比的交流信号输出,这就是所谓
二次谐披磁调制器名称的来由。可见测磁传感器和二次谐波磁调制器的原理上是相同的,但
百 在分隔输入、输出信号时,需果取一些措施。
以上二种磁调制器都工作在磁化曲线的线性和非线性段交替情况下。因此在磁场变化时,
户 磁感应强度不能很快变化,亦即响应较慢,而全旋转磁场磁调制器则在原理上与上述二种不
同。其结构图和垂直磁场磁调制器相同,只是在纵向增加了一个纵向激磁绕组(图1),
当4=Hmcoswt
H,=Hssinrut 时
则H,:为旋转磁场,不论在纵向和横向均没有二次谐波电压输出。当在H二加入一个直流
场强时,即
H二二Hmcosmt+凡 二Hm(a+coso)t)
式中a二He/氏,H。为外磁场强度
几二几sinwt
则有B,二Booc吕“
经过推导(参见图3)可得到
B二二B.(cosrot+(a/2)cos2o)t+(a/2)]
即磁感应纵向分量中含有与外磁场强度成正比的二次谐波分量
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