聚焦离子束刻蚀技术在制作检测DNA分子纳米孔中的应用研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届全目电子束·离子束·光子柬学术年套 湖南·长沙 聚焦离子束刻蚀技术在制作 检测DNA分子纳米孔中的应用 一 岳双林金爱子顾长志 (中国科学院物理研究所微加工实验室中国北京100080) 摘要：利用纳米孔研究DNA生物大分子是一个非常活跃的研究领域。由于聚焦离子束在微纳加 工方面的独特优势。可以被用来加工这种纳米孔。为了控制加工的可重复性。本文对不同离子束流以 及点覆盖率和点停留时间加工绝缘材料Si3N．的实验条件进行摸索，结果发现采用增强刻蚀模式的刻 蚀模式进行系统研究。发现加工最大深宽比可达5以上。结合再沉积绝缘薄膜的辅助技术得到了直径 为20rim的纳米孔。 关键词：聚焦离子束(rIB)纳米孔DNA 1．前言 DNA是生命遗传的重要物质，DNA分子的定量分析和特异识别对基因组学、病毒学、分子生物 学等相关学科的发展具有十分重要的意义。随着科学技术的快速发展．越来越多的纳米技术被用来研 究这种生物大分子，其中，利用纳米孔技术作为研究手段备受关注“一l。纳米孔分天然存在的生物纳米 iL8和人工加工的纳米孔h1两大类，他们都可以用来进行生命科学的相关研究。但是理想的生物化学 或生物物理研究应采用孔径稳定、坚固耐用、物化性能良好的固体纳米孔．这样的纳米孔应该由质地 坚硬的固体薄膜材料加工制作。si』U(氮化硅)以及A1N(氮化铝)晶体薄膜的电阻率量级分别为：10” Q·em和10”n·em，正好能满足上述要求。 FIB在微电子领域的电路失效分析与器件修补方面显示了其独特的优势。其主要功能是实现在亚 微米／纳米尺度的刻蚀和材料沉积。为了刻蚀出可重复性好的纳米孔，需要精确控制刻蚀时间以及全 ’ 面了解刻蚀孔径大小与深宽比之间的关系。 ． 本文对FIB系统蚀刻SiFk薄膜的实验条件进行了系统的摸索。受刻蚀的深宽比所限．采用FIB 直接加工较厚绝缘膜所得的微孔往往较大，难以直接投人使用。为此本文采用再沉积绝缘膜的辅助技 术使孔径进一步缩小。由于AlN不仅具有电阻率高。耐磨，机械性能好，物化性能好的优点，还具有生 长速度慢的特点，从而易于控制沉积厚度。被用来作为再沉积的材料。 2．实验 模式对Si3N4薄膜的刻蚀条件。 用来制备纳米孔的自支撑si风薄膜微区由化学定向腐蚀法腐蚀掉硅衬底所得。再沉积AIN薄膜 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 采用射频磁控溅射方法完成。 3．结果与讨论 3．1Si小．薄膜厚度测定： 采用FIB的普通刻蚀模式(点覆盖率50％，点停留时间llms)对所研究的Si凡薄膜剖截面。然后 将样品台倾斜52。进行观察，如图l所示，可知膜厚为540nm。 图lSi3N4薄膜截面的SEM照片 3．2不同刻蚀模式对si抖．的刻蚀速率 采用普通刻蚀(点覆盖率50％，点停留时间1斗s)，增强刻蚀(增强刻蚀气体为12，点覆盖率一50％， 蚀模式，在si』扎薄膜上加工2x2¨m2的槽，然后将加工后样品倾斜，测量刻蚀深度(h)，单位为Izm，被 刻蚀量为4hlxm3，除以所对应刻蚀时间，即为刻蚀速率。图2为采用三种模式在不同离子束流下加工 一s／(Il皇一宴叠宕I门啊齑 I-beam current@A) 图2采用普通刻蚀(a)，增强刻蚀∞与绝缘增强刻蚀(c)加工SigN4的刻蚀速率 一258一 2005年12月 第十三届奢圈电