FeSiBCuFeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应研讨.pdfVIP

FeSiB／Cu／FeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应研究 周 勇 陈吉安 杨春生 高孝裕 王明军 张亚民 上海交通大学微纳米科学技术研究院，薄膜与微细技术教育部重点实验室， 微米／纳米加工技术国家级重点实验室 200030 示)。当磁场和交流电流沿薄膜的纵向时，磁阻抗比随磁场的增大而增强。在磁场约1600从n下达到最大值。然后随磁 场的增大而下降到负的磁阻抗比。在频率3MHz、磁场1600A／m时磁阻抗比达到最大值17．2％。磁阻抗比的最大值及 负的磁阻抗比与夹心薄膜中磁各向异性轴的取向有关。另外，当磁场施加在薄膜的横向时，薄膜表现出负的磁阻抗 比，在频率3MHz、磁场5600Aim时．磁阻抗比达一13．4％。 关键词：FeSiB／Cu／FeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应磁各向异性 一、引 言 巨磁阻抗(Giant 围内，在一小的直流磁场作用下，材料的交流阻抗随91-；bn磁场的变化而灵敏变化的现象。这一效应最早是由 中。已经探明，非晶丝和薄带中巨磁阻抗效应的来源归于某些特殊的磁畴结构和较强的趋肤效应。在膜厚为 l～4肛m的单层铁磁薄膜中，出现大巨磁阻抗效应的频率在80MHz以上删，这时趋肤效应非常强烈。夹心薄 膜中的巨磁阻抗效应也有报道【4～，其出现大巨磁阻抗效应的频率低于20MHz，且远大于单层膜中的巨磁阻 抗效应。然而，夹心薄膜中巨磁阻抗效应产生的机理仍不十分清楚。实验表明，夹心薄膜中的巨磁阻抗效应 与夹心薄膜的磁结构、薄膜的尺寸等有很大的关系。目前报道的夹心薄膜中，铁磁层通常为磁致伸缩系数为 阻抗效应。 二、实 验 首先采用磁控溅射方法在玻璃基片上研究了FeSiB薄膜的最佳制备条件，合金靶的成分为Fe力巍，出舯 膜。首先采用金属掩膜在玻璃上制备第一层FeSiB薄膜，然后采用另一金属掩膜制备Cu薄膜，其次采用金属 用电感耦合等离子体(inductivelyplasma，ICP)对薄膜的成分进行分析，测试结果与合金靶的成分趋于 coupled 100kHz～40MHz。在阻抗测量过程中，薄膜的纵向与地磁场垂直，沿薄膜的纵向或横向施加一直流磁场，分别 加磁场下和未加磁场的磁阻抗。磁阻抗比可为正值或负值，正负值是指在外加磁场下，夹心薄膜的磁阻抗大 一57— 于或小于无磁场时的阻抗。 Model一10000 采用LDJ 1．5T，是用振动样品磁强计VSM测量的。 三、实验结果和讨论 !：。銮鉴!e穹弩，矍兰磁兰．曼兰：(薯竺场施加 图2 FeSiB／Cu／F8SiB夹心薄膜纵向巨磁阻抗效应曲线 在薄膜的横向。(b)磁场施加在薄膜的纵向 辨率有限，无法准确给出夹心薄膜FeSiB／Cu／FeSiB的磁滞回线。 近出现峰值，是典型的纵向巨磁阻抗效应特征谱，这可由旋转磁化模型来解释嘲。由经典的电磁学理论可知， 高频电流通过导体时由于趋肤效应而主要集中在表面，电流密度向导体内部呈指数衰减，趋肤深度为6= (P，耵+弘)m，因导体的阻抗与趋肤深度有关，因而阻抗强烈依赖于电流频率f、有效磁导率?的变化。对于具有 横向磁各向异性的铁磁薄膜，交流磁导率将随外加磁场的增大而增大，当磁场Ha=Hk(等效磁各向异性场)时 磁导率达到最大值，然后又随磁场的增大而下降，这是纵向巨磁阻抗效应的来源。由图2可看出，在不同的 频率下，磁阻抗比首先随磁场的增大而增大，在某一磁场HP下磁阻抗比达到正的最大值，然后又随磁场的 17．2％，为各频率中的最高者。在频率5MHz、磁场相对较大耐，夹心薄膜中存在较大的负磁阻抗比；例如在 很好的横向单轴磁各向异性，在不同的频率下出现磁阻抗比最大值的磁场是相同的，近似等于磁各向异性 负的磁阻抗比，这意味着夹心薄膜的软磁性能并不理想，或者说夹心薄膜的易轴并没有完全沿薄膜的横向。 在早期发表的文章中【3]，如果磁阻抗比采用本文的定义，则磁阻抗比的最大值通常为正值，且远大于负的磁 阻抗比。磁场较大时样品中存在较大的负磁阻抗比，可能与FeSiB薄膜中易轴的取向，即易轴偏离薄膜横向 的角度有关。 图3给出了不同磁场下样品的巨磁阻抗效应与频率之间的关系。在不同的外加磁场Ha下，磁阻抗比先 随频率的增高而增大，达到最大值后又随频率的增高而下降。对于不同的