飞秒激光沉积硅基氧化锌薄膜及结构特性研究.pdfVIP

飞秒激光沉积硅基氧化锌薄膜及结构特性 杨 光 杨义发 龙 华 郑启光 陆培祥 （华中科技大学武汉光电国家实验室和光电子科学与工程学院，武汉 430074 ） 摘 要：系统研究了飞秒激光沉积硅基氧化锌薄膜过程中的各种工艺参数，实验结果表明当衬底温度为80℃、激光 能量为1.5mJ、真空度为10-4Pa 时，所制备的薄膜质量最佳，X 射线衍射(XRD)结果表明ZnO 薄膜呈高度c 轴取向， 随着基片温度的升高，c 轴取向度降低，而ZnO(103)衍射峰增强，通过场发射扫描电子显微镜(FSEM)对薄膜表面形 貌进行了观察, 结果表明所制备的薄膜晶粒均匀，晶粒大小在50nm 左右。 1 引 言 氧化锌(ZnO)薄膜是一种具有广阔应用前景的宽禁带氧化物半导体材料，它不仅具有优异的光电 性能、良好的化学稳定性、较低的介电常数等优良的物理化学性能，而且资源丰富、无毒、价格低 [1] [2] [3] [4] 廉，在表面声波器件 、压电器件 、透明电极 及发光器件 等方面都有着广阔的应用前景。自然 生长的ZnO 薄膜具有纤锌矿结构，n 型导电，禁带宽度为3.4eV, 激子束缚能为60MeV，可实现室温 [5] 下的激子辐射 ，但由于其p 型掺杂困难，曾一度被认为是一种没有希望的半导体材料。近年来由 [6] 于氮化镓(GaN)半导体材料的兴起及其p 型掺杂的成功 ，作为GaN 理想衬底的ZnO 又重新成为人 [7] [8] 们注视的焦点，特别是氧化锌p 型掺杂的成功 及光抽运紫外受激发射的实现 ，ZnO 再次成为人们 研究的热点。 作为制备硅基氮化镓(GaN/Si)薄膜的缓冲层，ZnO 比起其它材料(如AlN 、SiC 等)具有独特的优 点，这就是：不管是在Si(100)面、还是在 Si(111)面上，都可以得到 c 轴择优取向的ZnO 薄膜，而 [9] 且在Si(100)面上所制备的薄膜效果更佳 ，而硅集成电路工艺正好是Si(100)面，若以ZnO 作为缓冲 层，有望将Si 集成电路与GaN 器件集成。因此，如何获得高质量的硅基氧化锌(ZnO/Si)薄膜就成为 了人们研究的重点之一。近年来研究者们采用了多种制备ZnO 薄膜的办法，如分子束外延(MBE) 、 射频磁控溅射(RFMS) 、脉冲激光沉积(PLD)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等，其中，PLD 技 术特别是飞秒脉冲激光沉积(FSPLD)技术以其保成份性、沉积速率快、易控、沉积温度低、所生成的 薄膜致密度高等优点成为薄膜制备较为理想的方法之一。 以Si 为衬底制备ZnO 薄膜已有大量作者进行了研究[10-12]，但大多是采用MOCVD 、MBE 、RFMS 等，通过飞秒激光制备ZnO/Si 薄膜在国内还未见报导，在国外这方面的研究也非常少，如 Masayuki [13] [14] [15] Okoshi 等 和E.Millon 等 比较了不同基片下ZnO 薄膜结构的差别，J. Perriere 等研究了薄膜质 量与脉冲宽度的关系。因此，对于飞秒激光制备的ZnO 薄膜的质量与工艺的研究还不是很全面，本 文将借助飞秒激光的超短脉冲特性，系统研究实验参数对薄膜质量的影响。 2 实 验 本实验中所使用的激光系统为Spectra-Physics 公司的Ti:Sapphir 激光系统，其输出波长为800nm， 重复频率为 1 1000Hz，单脉冲最大能量为2.0mJ ，脉宽为50fs ，采用焦距为400mm 的透镜聚焦到 ZnO 陶瓷靶材上，其光斑直径为0.5mm ；ZnO 靶材选用高纯(99.999%)ZnO 纳米粉冷压(压力为200MPa) 成形后烧结而成，其烧结温度为800℃，靶材直径为30mm ，厚度为4mm ，ZnO 陶瓷靶的XRD 结果