电工课件（长安大学）第14章 二极管和晶体管.pptVIP

14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 4.晶体管的结构和符号 14.5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 14.5. 2 电流分配和放大原理 晶体管电流测量数据 二. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它在电路中与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用。 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 【例 1】 图中通过稳压管的电流 IZ 等于多少？R 是限流电阻，其值是否合适？ IZ DZ +20 R = 1.6 k? UZ = 12V IZM = 18 mA IZ 例 1 的图 IZ IZM ，电阻值合适。 【解】 【例2】已知输入电压的波形，画出输出u0波形。 解： ui和uo的波形如图所示 （UZ＝3V） ui uO DZ R (a) (b) ui uO R DZ 【例1】 电路如图左，设UZ1=5V，UZ2=7V，两管正向压降均为0V，在正常输入Ui下，输出Uo的值为（ ）。 （1）5V （2）7V （3）12V （4）0V 【例2】 电路如图右，设UZ1=5V，UZ2=7V，两管正向压降均为0V，在正常输入Ui下，输出Uo的值为（ ）。 （1）5V （2）7V （3）6V （4）0V 【课堂练习】 1.半导体三极管：双极性三极管 ，简称晶体管（BJT ） 2.分类： （1）按频率分 高频管 低频管 （2） 按结构分 NPN型 PNP型 （3） 按材料分 Si管 Ge 管 （4） 按功率分 大功率管 中功率管 小功率管 Si 管多是NPN型， （3D系列） Ge管多是PNP型， （3A系列） 14.5 半导体三极管 14.5　半导体三极管(BJT) 1.半导体三极管：又称双极性晶体管，或简称晶体管。 (Bipolar Junction Transistor) 2. 三极管的外形 图 　三极管的外形 （1）按频率分 高频管 低频管 （2） 按结构分 NPN型 PNP型 （3） 按材料分 Si管 Ge 管 （4） 按功率分 大功率管 中功率管 小功率管 Si 管多是NPN型， （3D系列） Ge管多是PNP型， （3A系列） 3.分类： 我国晶体管得型号命名方法 结构：晶体管有三块半导体、三个区、三个电极、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 14.5.1 基本结构 晶体管的结构 (a)平面型； (b)合金型 B E P型硅 N型硅 二氧化碳保护膜 铟球 N型锗 N型硅 C B E C P P 铟球 (a) (b) 1. 基本结构 2. 结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 3.结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VC