MEMS传感器在动态测试中的应用研究.pdfVIP

98年 第 12卷 第〕期 测 试 技 术 学 报 Uol.12 N0.3 1998 ︸ 行 八 夕 、、.、MEMS传感器在动态测试中的应用 翟成瑞 张文栋 周勇军 ‘张斌珍 梁夭波材 (华北工学院 030051) 无锡总参工程兵研究一所南) (美国EGGICSensors公司) 摘 要 本文在简单介绍MEMS传感器的基础上，重点介绍了有MEMS传感器构成的测量系 统，及其在高过载低量程测量中的应用。 关键词 MEMS 传感器 高过载 0引言 动态测试领域的高过载低量程传感器一直是未能彻底解决的问题.通常应用的压电 传感器由于其工艺上和结构上的固有缺点，而使传感器在受到高过载激励后出现电荷的 积累或泄露现象，导致传感器输出发生漂移，发生测试中的不归零现象。由于这一现象 的存在，使的在一些高过载环境下的测量数据不能真实再现被测量的动态过程，造成数 据分析困难，甚至使测试数据没有分析价值。MEMS技术的出现为这一难题的解决代来 了希望。以下就MEMS’技术的传感器及其在高过载低量程测试过程的应用进行了介绍。 1MEMS传感器简介 ‘ MEMS及其制造技术是在微电子技术基础上发展起来的一种新型多学科交叉的、 将对未来人类生活产生革命性影响的高新技术。MEMS制造技术有多种，在这些加工技 诊 术中，硅微加工技术以微电子技术为基础，与微电子技术具有良好的兼容性，应用最为 广泛。硅微加工技术又可分为:表面加工技术、体硅加工技术和LIGA加工技术等。 ， J J 硅微加速度计以尺寸小、重量轻、响应快、精度高和成本低的突出特点在加速度传 感器市场有着极强的竞争力。 压阻式硅加速度传感器制造的关键是将电阻与弹性体一体化，在硅片上做出薄的可 将压力转化为应力的硅膜片，再在硅膜片上扩散电阻使之成为压敏电阻。单晶硅膜片是 半导体压力传感器的基本转化元件.膜片的形状对灵敏度有直接影响。它一般加工为三 层结构，顶盖通常为玻璃或硅片，起密封和过载保护作用。中间层是硅加速度计的关键 部位，此层采用体硅加工工艺加工出的悬臂和质量块，悬臂厚度为几一十几微米厚。在 悬臂上采用离子注入工艺制作应变电阻器。当质量块受到惯性力上下移动时，电阻器的 阻值变化，通过惠斯通电桥检出电阻变化量 以此求得加速度值。底座为硅片或玻璃， .收稿ITM:-I-99-8-Z5-UT一一一一~一 *国家杰出青年基金资助项目，资助号 1498年第3期 498 测 试 除了起密封和保护作用外，通常还在其上加工前置放大和各种补偿电路。 美国EGGICSensors公习是批里生产压阻式硅加速度计的厂家，现己鸿系列产品 问世，年产且达数十万只，主要用于汽车安全气袋。3255是其中的一种，它采用两片结 构，一片为用MEMS制造技术加I的悬件式加速度传感器，另一片为ASIC,其中包括前 里放大、自检与各种补偿电路，Pi片封装在同一基片上，它有”Og,1250g,:5OOgE种 2测试系统的构成 由干MEMS传感器将信号调理电路集成在传感器内部，输出的是最大福值为Vcc/2 的电压信号，所以由它构成的铡试系统较为简单，图I由MEMS传感器构成的测试系统 的原理图。MEMS传感器输出的信号分两路:一路到AID变换电路，转换为故字最后写 入存储器;另一路到触发电路，传感器受到冲击后输出信号使记录触发电路触发后，启 动负延迟电路，负延迟电路达到设定的负延迟记录容量后，关断存储器电路以外所有电 路的电流同时。将存储器辙日向接口电路开放·这时可