MOCVD方法生长ZnO晶体薄膜及p型掺杂研讨.pdfVIP

浙江大学硅材料国家重点实验室 2005 年 6 月 摘 要 ZnO 是一种多用途的半导体材料。传统上，被广泛应用于声表面波器件 （SAW），体声波器件（BAW ），气敏元件，变阻器，透明电极等。和 GaN 相比， ZnO 的缺陷密度更低，可在低温下合成，且激子束缚能更高（60meV ），阈值电 压较低，理论上有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出较好性能的探测 器、LED 和 LD 等光电子器件。 然而，由于 ZnO 薄膜中存在大量锌填隙原子和氧空位（Zn ，V ），产生高 i o 度的自补偿作用，加上受主元素（N 、P 、As 等）在 ZnO 中的溶解度较低且引入 的受主能级均较深（N 除外），p 型 ZnO 薄膜的制备存在较多难点，从而影响了 ZnO 薄膜的应用。 近来已有部分研究小组实现了 ZnO 薄膜的 p 型掺杂，但通常电阻率较高， 并且 p 型导电性能不稳定。因此，ZnO 薄膜的 p 型掺杂依然是其研究中的主要课 题。目前用以沉积 ZnO 薄膜的设备主要有磁控溅射（Mag. Sputt. ）、脉冲激光沉 积 （PLD ）、分子束外延 （MBE ）和金属有机气相外延 （MOCVD ）。其中，MOCVD 以其特有的优势成为ZnO 薄膜外延及掺杂所采用的热门技术。 本论文系统阐述了 ZnO 薄膜的性能、各种制备技术及应用前景，并概括了 p 型掺杂的机理及实现途径。利用自行改装的低压 MOCVD 装置，由NO 、N O 的 2 混合气体与 DEZn 反应成功制得较稳定的低阻 p 型 ZnO 。 通过多种测试手段和理论分析，取得成果如下： 1、用本实验室自行改装的MOCVD 简易装置，在衬底温度为 420 ℃、生长 压力为 1 Torr 的条件下，蓝宝石衬底上沉积的 ZnO 薄膜回摇摆曲线的半高宽仅 为 190arcsec，晶粒为明显的六角结构。 2、通过生长低温缓冲层，在 300 ~ 500 ℃ 的温度范围内，各衬底上均能沉积 出高度c 轴取向的 ZnO 薄膜。其中，420 ℃为最佳的衬底温度。 3、具体研究了衬底温度和各反应源对ZnO 薄膜 p 型导电性能的影响。通过 优化参数，当 NO 、N2O 流量分别为 40 、25 sccm 时，得到低阻且稳定的ZnO 薄 1 浙江大学硅材料国家重点实验室 2005 年 6 月 膜，其空穴浓度为 1.97 × 1018 cm-3 ，电阻率仅为 3.02 Ωcm 。 4、采用 Hall 测试仪反复测量已制得的 p 型 ZnO 薄膜的导电性能，大部分样 品在放置4个月后仍然显示为p 型，说明本实验沉积的 p 型 ZnO 薄膜较为稳定。 5、退火热处理发现：高温退火可提高薄膜的晶体质量，500 ℃为最优的退 火温度；短时间高温热退火有助于激活 N 受主，使薄膜发生 p 型转变。 2 浙江大学硅材料国家重点实验室 2005 年 6 月 ABSTRACT Zinc Oxide is a semiconductor material that has many applications. Traditionally, ZnO is used in acoustic wave devices (S