MOCVD生长InGaN薄膜的光致发光特性研究.pdfVIP

·726· 中国太阳能光伏进展 苑进社1·2陈光德2 1重庆师范大学物理学与信息技术学院重庆。400047 ， 2西安交通大学理学院 陕西西安710049 【摘要】 InGaN薄膜是研制空间用全光谱高效率多结太阳电池的理想材料之一，本文实 验研究了MOCVD技术生长InGaN薄膜的表面形貌和光致发光特性，结果发现 光致发光实验发现In富量子点的辐射复合跃迁光谱，光致发光激发光谱观察到 Ino．2Gao．BN和GaN的带边吸收峰以及不同尺度的In富量子点吸收峰。结果表明， 控制生长条件可实现InGaN薄膜的s—K模式生长自组织量子点，这对于研发全 光谱InGaN量子点p—i-n结构太阳电池具有一定的参考价值。 【关键词】 InGaN薄膜量子点光致发光光谱 光致发光激发谱 of FilmGrown PhotoluminescenceInGaN MOCVD properties by YUANJinshel·2CHEN Guangde2 I Schoolof andInformation Normal 400047China University，Chongqing Physics Technology，Chongqing 2School China ofScience，Xi’anJiaotongUniversity，Xi’an710049 0引言 Ⅲ族氮化物半导体被称为第三代半导体材料，其中GaN材料室温带隙3．4cV，InN带隙 eV 宽度，最新报道为O．7eV。这样其三元合金In。GaldN的带隙将随合金组分x的变化在0．7 到3．4 合金材料实现高效多结光伏电池成为可能。GaN基半导体材料的物理、化学性能稳定，并具 有抗高能粒子辐射的性能，是当前研制空间用全光谱高效率多结太阳电池的理想材料之一u1。 近十年来，以In。Gal。xN为激活层的新型光电子器件的研发取得了重大进展，用分子束外延 子阱等低维P—i—n结构光电子器件已经问世，并已实现商品化。这为研究开发全光谱空间用高 效氮化物量子阱p—i—n太阳电池开辟了新的途径。对于P-i．n结构太阳电池，在本征区实现多 层自组织量子点，可明显提高光伏电池的短路电流和光电转化效率【2l。目前，对于Ⅲ·V族 ·博士启动基金(06XLB008)；国家自然科学基金资助项目。 基础研究、新材料及新概念太阳电池 ．727． 化合物半导体高效光伏电池而言，主要还是基于Ge(0．7eV)，GaAs(1．4 于刚起步阶斟31，许多相关理论和关键技术问题有待探索解决。本文用MOCVD技术生长的 太阳电池具有一定的参考价值。’ ’ 1实验 实验样品为非故意掺杂的InGaN薄膜，三甲基镓、三甲基铟和氨气分别作为镓、铟和氮 nm