AlCu微米级厚度薄膜扩散连接工艺及显微组织分析.pdfVIP

第38卷增刊 原子能科学技术 V01．38，Suppl． Atomic and 2004 2004年7月 Science July Energy Technology Al／Cu微米级厚度薄膜扩散连接工艺 及显微组织分析 谢 军，吴卫东，杜 凯，郑凤成，叶成钢，黄丽珍，袁光辉 (中国工程物理研究院激光聚变研究中心，四川绵阳621900) 摘要：采用真空扩散连接工艺法，对Al与Cu薄膜扩散连接接头的组织性能进行实验研究，利用扫描电 子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪等测试方法对连接接头过渡区及基体组织和性能进行了分析。 实验结果表明：采用真空扩散连接工艺，加热温度为250℃、保温时间为30min、压力为5MPa时， Al／Cu薄膜界面处形成明显的过渡区，扩散界面控制在150am以内。