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X波段三级GaAs功率单片 张玉清 张慕义 信息产业部电子第 I--v究所 石家庄 。50051 摘要:本文简叙 了 一个X波段三级GaAs功率单片的设计.制作及其性能测试，该单片 在9.2-10.3GHZ频率范围内输出功率500niw,增益18dB,增益平坦度:ldB. 1引言 由于现代化战争对雷达的要求愈来越高，固态有源相控阵番达已成为主要军事大国竟 相发展和装备的主流技术，这种雷达的关键部件就是T/R组件。T/R组件的发展与单片微 波集成电路(MMIC)技术的发展和成熟密切相关，采用MMIC芯片制作的T/R组件就成为最 佳途径。八}年代中期采用多个MMIC芯片的T/R组件在国外开始出现。至九十年代，高 集成度多功能的MMIC芯片的研制成功使得有源T/R组件采用的芯片数量大大减少、组装 更加方便，体积重量明显减少。 随着我国国防建设的需要研制开发生产TIR组件用的MMIC对国防现代的建设，将产 生重要的意义。 根据我国X波段T/R组件的需要我们研制出了一个X波段三级GaAs功率单片。本文 介绍了该电路的设计.制作及其性能测试，该单片在9.2-10.3GHz频率范围内、输出功率 500mw,增益18dBo 2方案设计 单片电路设计的中心的频率IOGHz，电路结构采用三级单片级联形式，根据GaAsFET 0.4W/hnm栅宽的功率密度，三级单片中器件的总栅宽分别为600mm.1200mm,2400mm, 第三级以两路功率合成形式来实现.匹配电路元件采用MIM徽带薄膜、电容、微带传输线 和微带短路线实现。 单片中有源器件结构为源跨接通孔接地结构，器件的单指栅宽为75um.栅长为0_5 pm,栅 一栅间距为14“二:，源漏间即4。m。材料选用MBE生长的Ga人s外延材料，有源 层浓度为2X1OIcm. 3单)}eq,$设ii 31 人f希、3模型参数的建方 VIIHPR510网络5?析仪测出栅1200Pm 器件的小信号S参数(表I. 表2).P}111人厂;号模4!?axf1.依Ill.;$}件随i)j变化规律将其转化为人信写5参数 (表3 。 一 246一 表 t 栅宽6001,in器件的小信号S参数 f(GHz) Su S21 S12 一 S2一一 9 0.80L-153.02 1.53Z58.03 0.05L57.80 0.63-/-69石9 0.05L60.09 0.63Z-72.39 9.5 0.80乙一154.99 1.45Z54.94 10 0.80-/-156.81 1.38L51.96 0.05L62.38 0.64-/-75.04 0.06-/64.64 0.64L-77.64 10.5 0.80L-158.49 1,31Z46.09 11 0.80/一160.06 124L46.32 006L66.84 (、65/-RO19 f (GHz) S S21 S12 s22 9 0.871Z-174.2 1.214L35.0 0.050-/51.0 0.576-/-116刀 9.5 0.873-/-176.9 .1145L30.8 0.052Z54-7 0.598L-119.6 10 0.876L-179.5 1.076L27.0 0.055L583 0石17L-123.2 10.5