一种数字CMOS工艺制造的10位100 MSs流水线ADC.pdfVIP

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2018-01-21 发布于北京
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一种数字CMOS工艺制造的10位100 MSs流水线ADC.pdf

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第29卷第3期固体电子学研究与进展 V01．29，No．3 2009年9月 RESEARCH＆PROGRESS0FSSE Sep．，2009 一种数字CMOS工艺制造的10位100MS／s 流水线ADC 王睿顾今龙盛云秦亚杰。洪志良 (复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海，201203) 2008-12·25收稿，2009—02—19收改稿摘要：介绍了采用0．18pm数字工艺制造、工作在3．3V下、10位100MS／s转换速率的流水线模数转换器。提出了一种适用于1．5位MDAC的新的金属电容结构，并且使用了高带宽低功耗运算放大器、对称自举开关和体切 mm×0．99 mW。14．7 换的PMOS开关来提高电路性能。芯片已经通过流片验证，版图面积为1．35 mm，功耗为175 MSls转换速率下测得的DNL和，ⅣL分别为0．2LSB和0．45LSB，100MS／s转换速率下测得的DNL和孙儿分别为1LSB和2．7LSB，5INAD为49．4 dB。 dB，SFDR为66．8 关键词：流水线模数转换器；数宇工艺；金属叉指电容}对称自举开关；体切换开关中图分类号：TN402文献标识码：A 文章编号：i000—3819(2009)03—417—06 A10bit100 Converter in MS／s A／D Pipelined Implemented CMOSProcess Digital WANGRuiGU SHENGYunQIN HONG Jinlong Yajie Zhiliang (StateKey of 203，CHN) LaboratoryASICSystems，FudanUniversity，Shanghai，201 Abstract：A3．3V10bit100MS／s ADCin CMOS is pipelined 0．18弘m processpre- digital sented．Anew structurefor1．5bitMDACis bandwidth metal—fingercapacitor proposed．High lOW switchand poweroperationalamplifiers(opamps)，symmetricalbootstrappedbulk-switching PMOSswitchare inthisADC toenhancecircuit hasbeen employed design performance．Thechip 1．35mm×0．99mmand