调制光反射MPR技术用于弱信号检测研究.pdfVIP

第13奋增刊 致 据 采 维 与 处 理 V01.13Sup 1998年 10月 JournalofDataAcquisition乙Processing Oct.1998 调制光反射(MPR)技术用于弱信号检测. 盖绵豫 陈显锋 丁祖昌 浙〔江大学物理不 杭州，310027) 张淑仪 张仲宁 (南京大学近代声攀日泉盆点实脸宜 南京，210093) 摘要 当一束.翻性门创曲浪.先人射州徽.禅昌斑曰上 往创益旅穿进裸度，从口.月反映禅诬内郁不同部 时，禅吕.收光曲，在禅品内部形班热故二 致样品衰砚， 位的表百月创光反射的.一信号交化。通过反交换， 度的周朋性交化，位禅吕农西的光李反射率也盆生月翻性 反谊成禅品内娜热特性(如热导*成热扩徽率】的歇 的交化。.翻这一.班，作青用一雍润翻成月翻性曲，先京 肉分布。本文，盆介绍产生MPR信号的过.及实脸 半径为.未f饭故有双位介允作为纽浦光人舫州GP,N 结果。 半.体禅 ‘农困，改交东甘光的脚创翻卒，拉创热故在禅吕 中的扩胜长度。粗过月t东.先艘的扭月光京.招月反映样 品内娜不同娜位的斑百一翻充反封的徽.擂号交化。砚过 1 调翻光反射信号的产生及洲. 计葬，畏口禅昌内娜鸽.性(如偏导卒班热扩胜率)的以自 分布。本文主要介月产生润创光反肘(Madulatedphoton- 当一束周翔性皿女润创的砚光束(班浦.光)人 reflection,MPR)信号的过粗及劣脸拍.。 封戏半导休禅品上时，主共通过两种效应引组样品 的光学反封率以相周的润创级*交化.一种是由于 关二 :GP,N半导体材料.侧翻光反封拉术.翻铃性 半导体材科.收光住后特化成偏.，导象样晶衰面 中.分盛4},TN307 月部.度同班捕光相两月期性交化，形成摘健，另一 种是由于吸欣.甘光引起光生吸班子.即电子 空穴 引 官 对，它们的周期性交化产生和盆合形成娜离子体波. 这两神彼的拐度和相位包含了禅品农百区城内的本 当一束周期性洲创的泵浦光人射到彼讨祥昌上 征及映摘特性的摘盛.用一泉与蔽浦光共成的裸侧 时，样品吸收光能，导致其表面扭度的周幼性变化， 光裸目样品农面反封*的变化，即可得到润创光反 并形成热波.在热波的作用下，样品的光学反射率也 封份号(MPR信号)。 发生周朋性的女化，这枕是祠翻光反射砚象。位粉橄 实脸映里如圈1所示。故长为488nm的盆离子 光技术和徽翻信号位润往术的日益成热.80年代中 徽光.通过声先润创公将其光橄润翻成20Hz一 期,Rosencwaig等人成功地把祠侧光反封(Modulat- 1MHz级率范口的润创光作为派浦光，怪扩束和. edphoton-reflection,MPR)挂术用于半导体材料和 翻垂!人射于样吕农面，光斑!经的.米t饭.人射 器件的表面特性研究[[,o]。这种技术的特点是探侧灵 洲样品上的功率的为05二W，因此人射点的光强离 敏度高，对样品尺寸无特殊要求，是一种无袄、非接 达10W/cm.另一束波长为833non的He-Ne徽光 触式的位阅方法。 作为探侧光束，经过偏振分光愧,a/4波片和分色通 本文利用MPR技术研究GaP;N半导体材料热 反倪，与策浦光束共魏地会.在禅品的同一点上.光 导率的纵向分布。其方法是改变人射光的衬创绷率. 路中的分色遨反俄对不周波长的光反射率不同，在 收枯13翔,1999A4-24,11:改ma砚S翻,1998-a5