磁控溅射GeSi多层膜的喇曼谱研讨.pdfVIP

磁控溅射Ge/Si多层膜的喇受谱研究 毛 旭，周祯来，杨 宇 (云南大学材料科学与工程系，云南 昆明650091) 翻共:采用劝拉诚封方法沉积G。和si材料在Si(100) 衬底上.用喇受徽封对不同工艺下的姑构和成分进 2 实 验 行了分析，表明制备Go和 si单晶成的优化衬底注 度为400℃左右.分析了S/iG。多层琪中Si-Ge健光 实验用电阻率为 100，. 的Si(100)单晶片作 学抓动模式不出现的原因，主共泛城射材料si和Ge 为衬底.先后经过四级化碳.丙用.渭粗.各严格 的晶态不同造成的.在喇受讲中现察到Si-Si健和 超声清洗10min去除油和蜡.然后在浓度为5%的熟 GO-GC健光学声于峰和声学声子峰. 撅酸中澡 15-20s除去载化层获得平整的衬底表面 关链词:SVGe多层城.喇.傲射:磁控浦射 后，吹千放入JGP500A超高真空多靶磁控戮射仪预 室中，待本底真空优于SX]0Pn之后再用传递杆传 1 引 言 入主室中进行派射。截封时充入的峨气压强选取我 们工作中所获得的理想工作压强2.5Pam.灯挂电压 半导体应变层超晶格能够由分子束夕1延(MBE)栩 为6V,选择不同衬底加热沮度，旅封方式和功率在 和金属有机物化学气相淀积 (MGCVD)m等技术来 i衬底上生长薄腆材料.生长过程为先长98S的.i 获得高质t的晶格匹配材料.但由于这些设备具有 缓冲层在syi衬底上，然后交替生长22，的cm和88s 昂贵和生产成本高等缺点.不利于大规模生产。磁 的si各to层.形成suoe多层腆。 控浓射方法具有操作简便，易于攀握等待点。以前 样品的分析是在NM I000喇受谱仪中进行的。 的研究普遮认为砚射较难获得单晶，F曲9等例采用 侧)t时采用背向散射装f.在室沮下采用Ar十激光 锹射制备出同质结外延iYl单晶材料。对于Si/Ge体 册的515.4nm谱线作滋发光源助率为25WX)*,测 系，由于si和Go材料失配达到4.2%,因而用溯射 f系统为CCD电荷藕合器件卜漪仪分辩率为lcm. 方法制备Ge/Si多层腆时容易形成失配位错。要用 派射方法获得商质f的 31o 超晶格材料.我们从 3结果和讨论 改变衬底沮度和改变戮射功率两方面进行了研究。 喇里散射作为表征f-SllGe薄膜材料的有效手段. 衬底沮度是影响薄腆晶相结构的宜要参致，因 迄今为止不仅在300-500cm范困内的光学声子进行 此我们分别选取加热沮度为3000C.450C、600C、 了广泛研究N-fl，而且在能f低于=002 ，的折盛纵 750C，由于金属托盘的影响，衬底的相应实际沮度 声学声子中也进行了研究.][。它表征了分子中不同基 比上述加热沮度大约低2000C 为了准确起见以下讨 团的振动特性.因而可以通过洲定喇里位移来进行 论的沮度均指校正沮度。分别在150W的射频功率 结构表征. 下派射s1材料，75W的直流功率下橄射G.材料来 本文在己获得较佳制备薄腆材料的红气压强条 制备SiIG。多层腆。各样品的喇里敌射谱如圈l. 件下门，制备了在不同衬底沮度和派射功率条件下的 比较圈中喇受蜂可着出，图lc中Ge的光学振动声子 多层薄腆材料，获得 i层或Ge层单晶材料，为进 模不仅峰形对称，而且峰的位f在 300cm处与Ge 一步制备 1//Ge超晶格材料打下了墓础.分析喇里 单晶体材料峰位接ice.因而该多层腆材料中的洲射Ge 谱图中Si-Ge健光学振动摸式不出现的原因，并区 层为单晶.而其它村底沮度下的 褚〔(沁性形成的类光 分开了折.声学声子蜂，证实了98. 处为Ge-Ge 学声子敏射峰都是多晶峰，说明衬底沮度