磁控溅射沉积氢化非晶硅薄膜及其结晶过程的研讨.pdfVIP

摘要 论文题目：磁控溅射沉积氢化非晶硅薄膜及其结晶过程的研究 学科专业：材料学 研究生：苗启林 签名： 指导教师：蒋百灵教授 签名： 摘 要 非晶硅薄膜广泛应用在太阳能电池的生产中，但因为其光电转换效率低，且会出现光 致退现象；所以关于非晶硅改性研究得到普遍的重视，本文采用磁控溅射沉积氢化非晶硅 分光光度计等分析方法，研究了氢分压和溅射功率对Ar-Si系等离子体、硅薄膜结构和性 能以及其退火晶化结构和性能的影响。 研究结果表明：随着氢分压的增大，气体压强增加，使得气体分子间的碰撞几率增大， 导致离子密度和离子流通量均增大：沉积得到氢化非晶硅薄膜，在其非晶结构中弥散分布 着少量的纳米晶颗粒，降低了缺陷密度，从而降低了薄膜的光透过率；氢化非晶硅薄膜退 度降低。 随着溅射功率的增大，离子密度和离子流通量增加，轰击靶材的离子能量增大，所以 溅射出的靶材原子在基体上能够更充分的扩散，使得非晶硅薄膜组织中的纳米晶比例增 大，相同退火温度下需要晶化的时间随之减少，晶粒尺寸和晶化率随之增大；当直流溅射 晶化率为77％。 与相同功率的直流溅射对比，射频溅射是离子和电子交替轰击靶材，使得溅射出的部 分靶材原子动能较小，不足以输运至基体，导致沉积速率较小；但是低的沉积速率导致到 原子能够充分扩散，增加了非晶硅薄膜组织中的纳米晶比例，所以相同退火温度下需要的 晶化时间短，得到的微晶硅薄膜晶粒尺寸和晶化率较高，可见光光透过率小。 在靶基距为90mm时，基体表面的离子密度处于峰值，由于基片偏压的作用，使得 基体也会承受大量高能离子的轰击，产生反溅射作用，使得硅薄膜的沉积速率降低；但是 低的沉积速率有利于硅薄膜的晶化，使得非晶硅薄膜退火20min后转化为非晶态，平均 晶粒尺寸为9．21nm，晶化率为79％。 关键词：磁控溅射：非晶硅薄膜；退火晶化；晶化率；晶粒尺寸 西安理工大学硕士学位论 II Abstract Title： OFMAGNETRON STUDY SPUTTERING l|YDROGEN．A腥DAMORPHOUSSlLlCONFIUMANDITS CRYSTALLIZATIONPROCESS SCIENCE Major：MATERIAL Name：QilinMlAO Signature：堡!垒2：坠 JIANG Supervisor：Prof．BailingSignature：座五型 Abstract siliconfilmhasbeen usedin ofsolarcell．Yetitslow Amorphous wildly production transformmionand recessionhavemade of photoelectric efficiencylight-induced study ofitsmicrostructureand one in this improvement industry．In propertieskeytopicphotovoltaic we siliconfilmsDCandRF paperdepositeda