磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备ZnOAl透明导电薄膜研究.pdfVIP

磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备ZnOAl透明导电薄膜研究.pdf

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磁控溅射法在有机薄膜衬底上制备ZnO:Al透明导电薄膜 扬田林 马瑾 张德恒’马洪磊 李淑英 曹宝成李玉香 山东大学光电材料与器件研究所 济南250100 *山东大学物理系 济南250100 文摘:用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出好的附着性、低电阻率、高 透射率ZnO:Al的透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性。 关键词:磁控溅射,柔性衬底,ZnO:Al薄膜 0 弓I言 柔性衬底透明导电膜不仅作为可折叠非晶硅太阳能电池的电极材料,而且 在塑料液晶显示器、透明电磁屏蔽材料和不易破损的热反射镜方面也有广泛的用 途。目前柔性衬底的ITO膜已用多种不同方法制备出来!’一。但是,至今未发现 在柔性衬底上制备出ZnO:AI透明导电膜的报导。用磁控溅射法制备的ZnOA:l 透明导电膜和ITO膜相比,ZnO:Al膜不但价格便宜,而且在等离子体中具有更 好的稳定性闭,这对制备可折叠的非品硅太阳能电池是很有利的。本文报导在透 明聚酷胶片上制备的ZnO:Al透明导电膜制备条件和薄膜的光电性质。 1 实验 所报导的是用带有JG-B-500晶控高频电源的JG-PF3B型磁控溅射仪制备出 的ZnO:AI薄膜。系统基础真空为2X10-Pa,溅射功率范围为100-250W.靶 材为纯度99.9%的ZnO掺纯度为99.990%1203烧结而成,其中A120:的含量为 3wt%o 靶直径为12cm,靶到衬底的距离为4cm,溅射用气体纯度为99.999%的 氢气,衬底为透明聚酷胶片,衬底温度为室温。 薄膜厚度用美国产ALPHA-STEP250R型台阶仪测量,薄膜的电阻率、迁移 率及载流子浓度采用VanderPauw法测量(室温),透射率用日产UV-365测量, 用RIGAKUD-Max-yA型X射线衍射仪测衍射谱,研究样品的结构。 2 结果与讨论 一 53一 2.1溅射条件 溅射ZnO:AI薄膜的电阻率明显地依赖于溅射气压的分压,图1给出了功率 为100W时溅射气压(PIV)对电阻率(P)的影响。我们发现随着气压的增大,电阻率 也增大。但是,气压太小,溅射起辉很不稳定,且溅射速度太快,也会影响薄膜 的质量,一般溅射气压为IP。左右为好。图2给出了溅射气压为1P。时电阻率 随溅射功率(P)的变化。 我们发现薄膜的电阻率随溅射功率的增大而减小。溅 射功率太大,衬底会不同程度地受到损坏,影响薄膜的质量。而功率太小,附着 力又太差。因此溅射功率以100W为宜。在溅射气压为1Pa,溅射功率100W 条件下,在柔性衬底上制备出了ZnOA:I透明导电膜。 尹 E ︵ d 总 。 卜 - - = 0 1 0 0 1 息 、 。 ( · - a o 0 t 2 3 a 5 Pk(Pa) 图1溅射缸气压对ZnOAl透明导电膜电阻率 图2溅射功率对ZnOA:l透明导电膜电阻率的 的影响 的影响 Fig1VariationintheresistiviytofZnOA:lfilms Fig2VariationintheresistiviytofZnOA:lfilms withargonpressure r.f.power 2.2薄膜的性质 在最佳条件下制备的ZnO:AI透明导电膜和衬底具有很好的附着性,即使对 衬底进行多次弯曲折叠,薄膜也不会脱落。图3给出了X射线衍射谱。衍射 谱中只存在相应于(002)面的一个衍射峰,这表明ZnO:AI透明导电膜具有(002)面 的单一择优取向.膜的择优取向取决于样品的制备条件151。根据衍射峰的半高 宽,通过Scherrer公式计算出晶粒大小为20nm,这与我们在玻璃衬底上制备的薄 膜的晶粒(100nm以上)fl相:比小得多。通过扫描电镜照片观察发现,柔性衬底上 一 45 一认 一

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