磷掺杂源温度对p型ZnO薄膜制备及性能的影响研究.pdfVIP

磷掺杂源温度对p 型ZnO 薄膜制备及性能的影响 姜 静 朱丽萍 王敬蕊 叶志镇 赵炳辉 （浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027 ） 摘 要：利用带有特殊热蒸发器的金属有机物化学气相沉积（MOCVD ）装置，以二乙基锌（DEZn）为锌源，高纯 O2 和P2O5 粉作为氧源和磷源，制备了p 型ZnO 薄膜。衬底温度固定在420℃，通过改变磷掺杂源的热蒸发温度控 制ZnO 薄膜中的磷含量，从而探讨磷掺杂源蒸发温度对p 型ZnO 薄膜制备及性能的影响。结果表明，蒸发温度对薄 膜中磷含量有较大的影响，当蒸发温度为450℃时，EDS 能谱显示薄膜中磷含量达1.51 at %，其电学性能最好，多 次测量的结果显示样品的载流子浓度、迁移率和电阻率等电学性能稳定。 关键词：ZnO 薄膜；MOCVD ；掺杂 1 引 言 ZnO作为一种新型的Ⅱ－Ⅳ族化合物半导体材料具有许多优点，如室温禁带宽度大(3.37eV) ，激 -1 子束缚能(60meV)和激子增益(300cm ) 高，是实现紫外光电器件、发光二极管以及激光器最有潜力 [1,2] 的半导体材料之一 ，广泛应用于紫外发光器件、变阻器、表面声波器件、压电传感器、透明电极 等领域。从而受到了人们的高度重视。ZnO是一种极性半导体，n型掺杂容易实现，通常掺杂Al，Ga， In等元素即可获得电学特征理想的n型ZnO薄膜，而p型ZnO薄膜的制备则相对比较难。这一方面是由 于ZnO 中存在许多本征施主缺陷，如锌间隙(Zn )和氧空位(V )[3,4] ，会产生高度自补偿效应；另一方 i o 面则是由于ZnO 中受主的固溶度很低，且受主能级深，难以离化。 [5] 实现ZnO薄膜的p型转变，第V族元素应该是最理想的掺杂源 ，但是到目前为止仍然缺乏可靠 的、高重复性的p型掺杂。近年来提出的大尺寸失配掺杂如P[6-8] 、As 、Sb技术为ZnO薄膜p型导电的 [7, 10] 研究提供了新的思路，有报道称采用磷掺杂能够得到重复性和稳定性更好的p-ZnO薄膜 。金属有 机物化学气相沉积（MOCVD ）方法易于制备出高晶体质量的ZnO薄膜，能够实现大面积沉积，适合 于工业化生产。因此，使用MOCVD方法制备p型ZnO薄膜具有十分重要的意义。本文采用带有特殊 热蒸发器的MOCVD方法，以二乙基锌（DEZn ）为锌源，高纯O 和P O 粉作为氧源和磷源，通过调 2 2 5 节磷源的蒸发温度制备了性能稳定的p型ZnO薄膜。 2 实 验 采用高纯二乙基锌(DEZn) （纯度99.999% ）为锌源，N2 为载气（纯度99.999% ）将锌源引入生 长室，采用高纯P O 粉末(纯度99.99%)作为磷源。由于P O 的升华温度在360℃左右，通过特殊 2 5 2 5 的热蒸发器很容易使P O 粉末升华获得活性气态磷源。氧源为高纯O (纯度99.999%) ，通过流量计 2 5 2 控制其流量，经过热蒸发器带动气态磷源到达玻璃衬底表面，从而同时提供氧源与磷掺杂剂。 根据文献[10,11] ，薄膜生长温度固定为420℃。蒸发器的温度在300-500℃之间。实验表明，即使 蒸发器温度低于360℃，P O 也会升华，这是由于玻璃衬底加热的热辐射会对P O 受热升华产生一 2 5