柔性基底上电沉积法制备铜铟硒太阳电池薄膜.pdf

第 27卷 第 3期 桂 林 工 学 院 学 报 Vo l27 No3 2007年 8月 Journal of Gu ilin U n iversity of Techno logy A ug　2007 文章编号 : 1006 - 544X (2007) 03 - 0370 - 04 柔性基底上电沉积法制备铜铟硒太阳电池薄膜 1, 2 1 1 龙 　飞 , 李建军 , 邹正光 ( 1桂林工学院 有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室 , 广西 桂林 54 1004; 2武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室 , 武汉 430070) 摘 　要 : 采用简单的二电极系统 , 以大面积的铂网为阳极 , 钼或不锈钢薄片为阴极 , 以氯化铜 、 三氯化铟 、亚硒酸的水溶液为电沉积液 , 利用一步电沉积技术在不锈钢薄片柔性基底上电沉积制 备铜铟硒 ( C IS) 薄膜前驱体 , 该前驱体经热处理后得到具有黄铜矿型晶体结构 C IS薄膜. 采用 XRD、SEM 和 EDAX等对制备的 C IS薄膜进行了表征 , 结果表明所制备 C IS多晶薄膜物相纯净、 晶型发育好 , 表面无裂纹 , 晶粒均匀. 关键词 : Cu InSe ; 电沉积 ; 薄膜 ; 太阳电池 2 中图分类号 : O484 1; TM 9 1442　　　　　　　　文献标志码 : A 铜铟硒薄膜是最重要的多元化合物半导体光 以柔性基板 (金属薄片 ) 开发制备 C IS一直是一 伏材料 , 光电转换效率高 、性能稳定 , 不会发生 个难题. 但是 , 用柔性基板制备 C IS具有重量轻 、 光诱导衰变 , 是最具潜力的第二代太阳能电池材 易于展开等特点 , 有利于太阳能电池在军事 、航 料 [ 1 ] . 近年来 C IS薄膜 电池的光电转换效率从上 天工业上的应用 [ 5 ] . 另外在运输 、安装 , 以及降 世纪 80年代最初的 8%提高到 15%左右 , 最高达 低制备成本等方面也有玻璃基板无可比拟的优势 , 192 % [ 2 ] . 其制备方法主要有 Cu - In 合金膜硒化 其对 C IS薄膜制备工艺水平要求也较刚性基底更 法 、真空蒸发法和磁控溅射法等. 它们或是在真 高一些. 本文采用一步电沉积技术在不锈钢薄片 空、高温条件下制备 , 或使用有毒气体 , 或采用 柔性基底上成功制备出了表面无裂纹 、晶型发育 昂贵的仪器设备和原料 , 所制备的 C IGS太阳能电 好 、粒径分布较为均匀的 C IS薄膜. 池成本太高以至不能实现商业化生产. 电沉积法 1　实验方法与过程 是一种低成本制造 C IS先驱薄膜的最有潜力的方 法 , 其技术特点是 [ 3, 4 ] : 所需要的沉积温度低 , 可 C IS薄膜的电沉积制备过程分为电沉积过程和 在常温下进行 , 因此薄膜中不存在残余热应力问 热处理过程两个阶段. 电沉积过程制备 C IS前驱 题 , 有利于增强基片与薄膜之间的结合力 , 且可 体薄膜 , 热处理使前驱体薄膜晶化 , 从而获得结 以在形状复杂和表面多孔的基底上制备均匀的薄