立方氮化硼薄膜的光学带隙研究.pdfVIP

{ { ，{ 4 M.MmamfandS.Wemnahe,SurfCmt.T+hno1.43)44(1990)128 { 5DJ.KmoerandRMmsier,J.Appl.Phys.72(1992)50a .1 百NTa;be}T.HaymhiandM.Iwake,diamondandRel.Mat.:(1992)151 ， 7M.MienoandT.Yoshida,Swf.CoatTedatol.52(1992)87 8 KBewiloguk工Bu或 RHabschandMGris由肠 Diem.andRcLMaL2(1992)87 ，V丫Kulikov内,,LRSb州nym,V.M.VermhakaaridN.G.H麟ynenko,Diam.andRe.lMat4(1995)113 10 S.Ukicb,J.Schcrer,J.Schwan,I.B} ,K3ingoralH.EhrhardtI)im .andRe,lMm.4(1995)288 11RLuethjeK.Bewilogue,S.DM (l,M.JohaossonandL.Hultmsn,ThinSolidFilms257(1995)40 12ASchuae,KBmwilogua,HLi(thjeandS.Kouprohlis,DiamondRe1.Mat.5(1996)1130 13S.KWW,C.A.TaylorIIMW又Clarke,AppI.Phys.Lett.64(14)(1994)1859 14 S.Reudte,M.KuhrandW.Kulisch,dim.andRel.IdaL3f1994)341 15J.KEdgar,PropertiesofGroupIJ[Nitride,Inspec,London,1994 16M.Fryda,K.TaubeandC-P.Klagm,Vacuum41(1990)1291 立方氮化硼薄膜的光学带隙* 张兴旺 王 波 宋雪梅 崔贪涛 严 辉 陈光华 北京工业大学应用物理系 北京 100022 电话:010 摘要 测盆了用射频溅射法制备的立方氮化硼薄膜的紫夕卜可见光透射和反射谱，计算了氮化硼薄膜的光吸 收系数和折射率，进而利用Tauc公式及Stem 公式得到了薄膜的光学带隙。结果表明随氮化哪薄膜中立方 相含a的增大，其光学带隙从4.OeV增大到6.0eV以上。 关键词 立方氮化确 光学带隙 薄膜 I 引 言 立方氮化硼(c-BN)具有比金刚石更宽的光学带V,(E4;,=5.5ev,E,m,6.6eV)，更优异的 热稳定性和化学稳定性，硬度和热导率仅次于金刚石，使其成为良好的光学窗口材料，可用 于高马赫数飞行的导弹头罩及其它光学涂层，具有十分诱人的应用前景。Miyata等III通过反 射和透射谱的测量，得到了c-BN单晶在2--23eV范围内的光学常数，在该研究中他们得到c-BN 的间接带隙为6.4eV30.5eVo最近，Eremets等121用拉曼谱、光吸收及反射谱系统研究了c-BN 单晶在400cmt-5000cm“范围的光学特性，并计算得到了静态和高频介电常数。但由于较高 质量的c-BN薄膜的制备十分困难，因而有关c-BN薄膜的光学性质的报道很少。本文报道 用射频溅射制备的c-BN薄膜光学性质的研究。 2 实 验 利用射频偏压溅射装置，以h-BN作为靶材，Ai气为工作气体，在高阻硅和石英衬底上 制备了c-BN薄膜。为提高轰击生长薄膜的离子的能量，用OV--500V的直流电压源对衬底施 加一负偏压。预真空和工作气压分别为1x105毛和Ix102毛，射频功率在100W-36OW之间， 衬底温度在373K--673K之间。傅立叶变换红外(FTIR)谱测最所用样品的衬底为抛光高阻硅 片，在WQF-400红外光谱仪上完成。沉积在石英衬底上的样