运动薄壳体上电磁场平均边界条件的推导研究.pdfVIP

电工 救 学进 展 运动薄壳体上电磁场平均边界条件的推导冲 刘宝林 袁建生 马信山 (清华大学电机工程与应用电子技术系.北京 100084) 摘 要 本文利用月。。H?。.，，成立用杭边界报件角.扭，采用肠娜平面泣近似法，.出了坛幼曰辱体 壳上电瑙助抨均留陈纬 级盯ip编踢曦用卜召阳 峨端 并曲定了其佃褪哄比陈翻纽臼劝限 Epos。·H ‘。钧到的.止价壳林上电.场翻平均边界条件只是本文所月平均边界级件的一个特侧。 关位字:电珑屏.幼钾休壳平均边界条件 1 前言 早在1948年，苏联科学家JIeaH?。。aq在研究无线电波绕地球传抽问且时段提出了 阻抗边界条件，它别别鼓甥川滚面司狱调明晰液剐舟 .禾佣JIeo.，00H“的阻执 边界条件来取代电盛场中的经典边界条件，可以大大简化电磁波在导休上散射闷且的分析。随 后许多科学工作者，其中特别是Ep。巾一H二。利用n一H?。BHq建立阻抗边界条件 的思想，研究了静止薄导体壳的电盛屏蔽问且，描述了电盛波往薄壳体内油通的过程。在屏蔽 边值问且建立时，将薄壳体用一理想的面替代，然后在该面上引入一种特殊形式的边界条件， 称之为平均边界条件Q.本文采用上述方法来研究运动薄壳体的电滋屏蔽问瓜，利用局部平面 波近似法，导出了运动薄壳体上电磁场的平均边界条件，该边界条件扫薄壳体外两侧的电徽场 有关，而与薄壳体内的电磁场无关。导出结果表明，静止薄导体壳上电磁场的平均边界条件只 是本文的一个特例。 2 平均边界条件的推导 在均匀的各向同性的空间中有一封闭的薄壳体Ss，厚度为△，内外面5:和52非常光清.假 .回国留学人员利研启动费资助项目和高等学校博士学科点专项科研基金资助项目 设薄壳体内任意一点介质的速度为民方向沿称壳体表面切线方向.为了简化屏蔽边值问且的求 解，将薄壳体用一理想的面S替代，使得该面与薄壳体的中界面!合，在该面上引入一种特殊 形式的边界条件，称之为平均边异条件。用t2,和4分别表示薄壳体s的‘内侧和外侧区城，在 区域Q,U=1,2)内，介质的电导率、介电常盆和盛导率分别为r;=0.，，和Y,，而薄壳体本身的 电导率、介电常数和磁导率分别为r-。和卜。薄壳件受到来自区域飞内初始场Ld,瑞的作用， 在区域。J内电徽场分别用Ej,H,表示，且E2=凡+jr2.几=风+H2，其中E2,凡为反射场， 假定时谐因子为e-i.,· 电徽场Ei,Hi在区城Qt内浦足麦克斯维方程 rot风=-im丹，tut弓=t0pi风 (1) 在薄壳体S‘内，电盛场 ‘，漪足如下形式的麦克摘维方程 rotE=iepm,Ram一 iac,E+7KVx闭 (2) 其中:，二。+i工，一 场的角撷率· . 下面将推导平均边界条件。首先将薄亮体进行离胜，这样离徽后的每一小块可以看成平面 块，且每一小块的各个参数都是恒定的，为此，可借助于以值定魂度V=气as+咋‘运动的无限 大的平面块D(O5z5A)来导出平均边界条件。设1,(z=0)和几(z=A)分别表示平面块D的两个面， 在D内电盛场$H渝足方程(2).而场凡，风在相应区城A(z0)和L4(sA》内浦足方程(1). 将方程(2)写成分t形式，整理得 DaE=S一.ii}HPp.H,+-a·aEs,,，aaEz,一*pN`+aaEYz ) 3 ( E、.=一-渝insaa[xx,-一aaby-一MV、一V,H,)i 闭 aa=-ineE,+aa一wLVHaa=imeE,+aaY一，、 ) 5 ( H凡_lo1p\_a(aEs,一aaEy,)l ) s ( 将((4)式代入((3)式，(6)式代入 5《)式中，井写成矢皿形式