PWM_Fly-Back线路解说.docVIP

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PWM_Fly-Back线路解说

电感 与 变压器 在一点之间 Fly-Back 的基本结构及电路原理 变压器算法 (Dis-Continuous) PWM IC 线路解说 EMI 问题探讨 『电感』与『变压器』在一点之间 当我们看SPS电路时,需注意其变压器初次级的『起绕』、『终绕』极性,通常会在线圈旁用『点』来表示,配合次级的二极管方向后,即决定该变压器是否有电感功能: 线路比较:(SW1 ON时,初次级的电流方向) 变压器 …… ( fig. 1 ) 电感(T1必须有Gap)……. ( Fig. 2 ) 电感上的电流与SW1 ON 的时间关系: 电感是由一条铜线绕在铁心上,因为铁心的导磁率(ui)远高于空气的导磁率(u0),使得组合后的电感值变大,而电感值的存在条件是:铁心的磁通密度(Bmax)可以随外加的磁场强度(H)呈固定斜率线性增加或减少(如Royal线路讲义中的磁滞曲线),如果该条件消失,例如磁通密度跑到磁滞曲线的最上端(饱和区),该电感器将失去电感的功能,变回一条铜线,直流内阻非常小 …… 等效电路 ……… fig. 3 电感上的电流波形 …… fig. 4 ……….. LP 越大 = Iin 斜率较缓,而且维持直线 如果SW1 ON的时间超过Lp 的E-T常数(例如ON到 t2),Iin 将无法再维持一定的斜率,而会急速的上升。 Fly-Back(驰返式)的基本结构与原理:(参考fig. 2) SW1 ON时: Vin 的能量在SW1 ON时,Vin跨接到初级线圈(Np),由于极点的方向,使次级(Ns)耦合到的电压方向让D1逆偏,所以次级电流不通,但能量必须有去处,所以先存到T1的Gap中,但如果SW1 ON的时间太长(VIN与 TON的乘积称为E-T常数 V-uSec),超过T1初级的E--T常数,初级电感将会饱和,初级电流将因为电感消失而变成非常大,会发生危险,所以必须用控制电路来让SW1在必要的时间打开 SW1 OFF时: 当SW1 OFF的瞬间,T1铁心中的磁通能量,就像一列行驶中的火车,不可能瞬间停下来,当初级的电源断开时,铁心中的磁通量变成发电机的逆向原理,在初、次级线圈形成与极点相反的感应电压,次级的极性变成使D1顺偏,于是铁心Gap中的能量在SW1 OFF 时,转移到次级的C1中 ON、OFF的时间控制: Fly-Back的线路架构在ON、OFF的时间控制,较常用的方式分成: 定频 ……….. 因为频率固定,所以调变ON的周期(Duty),如 PWM IC的控制方式 变频 ……….. 要转移大的能量时,将频率变慢(ON的周期变大),如自激式(RCC)的线路架构,轻载时的频率高,重载时的频率低;如果相同负载情况下:低输入电压时的频率低,高输入电压时的频率高 输出电压的控制:(初次级隔离) ( Fig. 5 ) 如上图的连接方式,利用电压侦测电路监控输出电压,并将测得的讯号(电压过高或过低)经过『光耦合器』传递到初级侧调整波宽,当输出电压过低时,将Q1 ON的时间加长,反之缩短,达到维持输出电压稳定的目的。 变压器算法:(Dis-continuous) SMPS最重要的零件就是主变压器,其它半导体或电容器,通常可以很直接的量到加在零件上的电压、电流,但变压器则是磁场的变化,很难用现有的仪器测得,而且铁心最害怕的就是饱和,因为Fly-Back的变压器有电感存放能量作用,如果铁心一饱和,将会使流过半导体的电流过大,危害到整体的安全。 计算Fly-Back变压器 与先前Royal 的变压器算法不同(用法拉第定律),将以能量转移的方式计算,先前提到能量转移时,是利用周期来调变,其中Duty Cycle: 是指SMPS的最大工作周期(最大功率输出 & 输入电压最低的时候) 在SMPS的电路中,零件与变压器的关系如下: MOS-FET就是上述电路的开关,决定初级电感值(Lp),与MOS-FET的耐电流值有关,电感大= Ip 小,MOS-FET上的热会降低,但Bmax 却会变大 初次级的圈比(Np / Ns)关系到初次级半导体的热量分配,例如设计变压器时,让MOS-FET ON的周期大,相对的,次级二极管ON的时间变短(因为总周期固定),而半导体在各自ON的时间内,转移的能量相同,可以想见热量的分布情形。 初级圈数较多,次级圈数较少,次级二极管的逆向电压会较小,但这样会使二极管的ON周期变短,使二极管上的Peak 电流变大,变的比较烫。 下列计算式子,就是用来证明上述的说明,请仔细研究。 先计算Vin、Vout 与Np、Ns会形成什么样的 Duty 关系? 根据能量不灭定理, 与 与 = ………将 Ls 提出后 = = …..………..(将 Lp 左移) = ………………. 两边开根

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