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高电压工程基础
第一章
1、输电线路的传输容量主要受以下三个因素制约:(1)线损与发热;(2)线路电压降;(3)电力系统稳定P1
2、330kV、500kV和750kV属于超高压,交流1000kV及以上和直流±800kV及以上为特高压P3
3、电晕三个危害:能量损耗、电磁干扰、可听噪声P5
4、紧凑型输电线路的电感减小,电容增大,即线路的波阻抗减小,从而增大了输电线路的自然功率,即提高了输送能力P6
灵活交流输电技术、并联电抗器和并联电容器的作用(详见《电力系统分析(下)》)
第二章
1、气体绝缘介质的优点:不存在老化问题且在击穿后具有完全的绝缘自恢复特性。
2、电离是指电子脱离原子的束缚而形成自由电子、正离子的过程.电离是需要能量的,所需能量称为电离能Wi(用电子伏eV表示,也可用电离电位Ui=Wi/e表示)
根据外界给予原子或分子的能量形式的不同,电离方式可分为热电离、光电离、碰撞电离(最重要)和分级电离。
气体中负离子的形成:
电子与气体分子或原子碰撞时,也有可能发生电子附着过程而形成负离子,并释放出能量(电子亲合能)。
电子亲合能的大小可用来衡量原子捕获一个电子的难易,越大则越易形成负离子。
负离子的形成使自由电子数减少,因而对放电发展起抑制作用。
SF6气体含F,其分子俘获电子的能力很强,属强电负性气体,因而具有很高的电气强度。
带点质点的消失
(1)带电质点的扩散:带电质点从浓度较大的区域向浓度较小的区域的移动,使浓度变得均匀。电子的热运动速度高、自由行程大,所以其扩散比离子的扩散快得多。
(2)带电质点的复合:带异号电荷的质点相遇,发生电荷的传递和中和而还原为中性质点的过程,称为复合。带电质点复合时会以光辐射的形式将电离时获得的能量释放出来,这种光辐射在一定条件下能导致间隙中其他中性原子或分子的电离。
6、气体间隙中电流与外施电压的关系:
第一阶段:电流随外施电压的提高而增大,因为带电质点向电极运动的速度加快复合率减小
第二阶段:电流饱和,带电质点全部进入电极,电流仅取决于外电离因素的强弱
第三阶段:电流开始增大,由于电子碰撞电离引起的电子崩
第四阶段自持放电:电流急剧上升放电过程进入了一个新的阶段(击穿)
外施电压小于U0时的放电是非自持放电。电压到达U0后,电流剧增,间隙中电离过程只靠外施电压已能维持,不再需要外电离因素自持放电
7、电子碰撞电离系数α:代表一个电子沿电力线方向行经1cm时平均发生的碰撞电离次数。
阴极表面的电子溢出:
(1)正离子撞击阴极:正离子位能大于2倍金属表面逸出功。
(2)光电子发射:用能量大于金属逸出功的光照射阴极板。
(3)强场发射:阴极表面场强达到106V/cm(高真空中决定性)
(4)热电子发射:阴极高温
自持放电的条件:必须在气隙内初始电子崩消失之前产生新的电子(二次电子)来取代外电离因素产生的初始电子实验表明:二次电子的产生与气压气隙长度的乘积(pd)有关: Pd较小,自持放电可由汤逊理论解释; Pd较大,自持放电可由流注理论解释。
11、汤逊理论认为二次电子的来源是正离子撞击阴极使阴极表面发生电子逸出。
流注理论认为,二次电子的主要来源是空间的光电离。
流注理论可以解释汤逊理论无法说明的pd值大时的放电现象。两种理论各适用于一定条件的放电过程,不能用一种理论取代另一种理论。两种理论的自持放电条件具有完全相同的形式,但两者维持放电的过程不同。
12、电场不均匀系数:f = / ,即间隙中最大场强与平均场强的比值。通常f2时为稍不均匀电场,f4时为极不均匀电场。
补充:电晕放电的危害与对策
13、什么是不均匀电场中放电的极性效应P23
曲率半径较小的电极的电压极性不同,放电产生的空间电荷对原电场的畸变不同,因此同一间隙在不同电压极性下的电晕起始电压不同,击穿电压也不同,这就是放电的极性效应。
1
棒极带正电位时,电子崩的电子到达棒极后即被中和正离子虽朝板极移动,但速度很慢而暂留在棒极附近。这些正空间电荷削弱了棒极附近的电场强度,而加强了正离子群外部空间的电场。
正空间电荷阻止了正棒极附近流注的形成,使电晕起始电压有所提高
15、极不均匀场发生电晕后,随着电压的升高,放电区扩大,强电场区将逐渐向板电极方向推进,即电晕层容易扩散而导致最终的击穿。所以正极性的棒-板间隙击穿电压比负极性的低。
16、稍不均匀场击穿前没有电晕现象,正极性间隙的击穿电压比负极性的高。
输电线路绝缘和高压电器的外绝缘属于极不均匀场间隙,因而在交流电压下击穿都发生在外施电压的正半周,而GIS中SF6气体间隙属稍不均匀电场,因而负极性时击穿电压略低。
第三章
1、均匀电场中空气间隙的击穿强度约为30kV/cm。击穿无极性效应直流击穿电压、工频击穿电压峰值、50%冲击击穿电压相同
2、标准雷电冲击波的
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