脉冲占空比变化对阴极弧制备TiAlN薄膜结构和性能的影响研究.pdfVIP

，I六石奎一袁面工毫季术★馥 兰州 2006年8月 脉冲占空比变化对阴极弧制备m,ADN薄膜结构和性能的影晌。 刘金良8，唐为国3，毛延发6，韩培刚。，冯博学。 (a兰州大学物理科学与技术学院，b西安建筑科技大学，C深圳广大纳米RD中心) 捕要：利用脉冲偏压阴极弧离子蒸发沉积技术在不同占空比条件下制备7(TI,AI)N硬质薄膜，朗 极弧1IAl合金靶的原子比为1：1，使用XRD、显微硬度仪、纳米压痕仪以及金相显微镜观察了不 同占空比对薄膜徽结构，硬度及表面形貌的影响．结果表明，薄膜呈面心立方晶结构，随着占空比 增大，晶胞参数和晶粒尺寸单调增大，液滴对薄膜表面形貌的影响减小，薄膜的显微硬度在40％ 占空比时达到最大． 0．引言 面基氮化物由于其较高的化学稳定性、高硬度、抗磨损等优异的性能使其在机械加工行业中得 到了广泛的应用，能够明显提高刀具的使用寿命、降低加工成本。Tdq近年来在装饰、半导体、机 械加工领域得到了广泛的应用，但是其抗氧化温度在500．580C之间，已经无法满足日益发展的环 保、高速干切削等机械加工要求，向1玳中添加其它元素如m、Cr、厅等提高薄膜的硬度和抗氧 化温度人们已经做了大量工作【l’2’3】，尤其是∞AI)N薄膜，抗氧化温度可以达到950C，显微硬度 可超过HV3700[3j，在刀具涂层中已经体现出其优异的特点，但是绝大多数是通过磁控溅射或直流 偏压阴极弧沉积的，我们这里研究了利用自行设计的脉冲偏压阴极弧离子镀设备沉积的fn’A1)N薄 膜的微结构和性能受占空比变化的影响。 1．(Ti舯N薄膜的制备与测量 基体选用Al高速钢圆片。抛光后先用汽油超声清洗出去表面油污，再用丙酮超声除油，然后 丙酮漂洗放人烘箱中烘干。薄膜沉积前，系统本底真空在5．0x104Pa，环境温度保持在200C左右， 炉内壁及支架和样品上吸附的杂质。∞’AI)N薄膜沉积用三个o100ram的Ⅲ、m原子比为1：I 的rLM合金靶，工作电流为55A左右，薄膜沉积时脉冲负偏压保持150V，占空比的变化分别为 30％、40％、50％和60％。镀膜时间一个小时。 样品的微结构观察采用R]NT2000X射线衍射仪，阴极射线采用cu靶K。波长，采用掠角l叭射， 2o扫描模式，扫描范围20i—90。，衍射数据的处理采用MDI Jade5．0软件，同时用标准si样品掠角 达到最大载荷时力保持时间15秒，用CSM纳米压痕仪测量负载——位移曲线时的最大加载力为 镜观察样品的表面形貌。 2．结果与讨论 2．1脉冲占空比对薄膜徽结构影响 XRD观察薄膜微结构随占空比的变化如图1。随着占空比增大，薄膜的晶体取向开始发生变化， ‘国家自然科学基金资助(批准号 作者：剂金良，男，硕士，兰州大学物理学院等离子体物理与金属材料研究所 通讯联系人：feagbx@Izu．edu．cll 第六届叁曩表面I藿学,术4Wt 兰烈 2f106年s月 本不发生变化，峰的位置观察不到移动的迹象，主导薄膜生长的择优取向机制在研究TiN制备过程 中有一些报道”“，增大占空比使入射粒子的能量和动量增大，对薄膜生长表面轰击力度加强，增 加的晶格的应变，使应变能在薄膜生长过程中逐渐占据主导地位，从而使(111)晶面衍射峰加强。 在此之前，我们还对薄膜进行了0／20模式扫描，扫描范围30—40。，结果发现随着占空比增 0NiJq吏晶面间距增大， 大，(111)晶面衍射峰有向低角度方向的位移如图1b。根据布喇格定律，2 表明薄膜中产生了压应力，并且随着占空比的增大而增大。Cn’A1)N薄膜衍射峰的位置与前面TiN 薄膜的晶体相正逐渐向面心立方TizAIN相靠近。 b ． J翮 f／ ^08一》ij