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第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5
CHINESE OFSENSORSANDACTUATORS
2006年10月 JOURNAL 0ct．2006
Simulationand oftheResonant ofFBARs
Analysis Properties
TANG
Liang。，HAOZhen—hong，QIAODong—hai
(MEMS theInstituteAcoustics，Chinese 100080，China)
laboratoryof of AcademyofSciences，Beijing
Abstract：The formulaoffilmbulkacousticresonators(FBARs)withacoustic
inputimpedance
iSderivedfromtheMason circuitmodel．Withthisformula，theresonant ofFBARs
equivalent properties
aresimulatedand influenceofdifferentmaterialsandthicknessof ande一
analyzed．The piezoelectriclayer
1ectrodesontheresonant is resultsindicatethattheresonant is
propertiesinvestigated．The frequency
determinedthe materialand electrodesalso roles．For
mainly by piezoelectric thickness，but playimportant
FBARsover5GHz。itis touseA1NinsteadofZnOfor layer．
suggested piezoelectric
bulkacoustic circuit
Keywords：film resonator(FBAR)；Masonequivalentmodel；microwave
plexer；RF-MEMS
EEACC：2861}t7
薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振特性的模拟分析
汤 亮。，郝震宏，乔东海
(中国科学院声学研究所微机电实验室，北京100080)
摘 要：主要利用Mason等效电路模型对加入介质声损耗的薄膜体声波谐振器输入阻抗公式进行了推导，并利用该结果对
薄膜体声波谐振器的谐振特性进行了模拟分析，分别就不同压电层材料和厚度以及不同电极材料和厚度对薄膜体声波谐振
器谐振特性的影响进行了详细分析．结果表明，薄膜体声波谐振器谐振频率主要由压电材料和厚度决定但电极的影响也是很
大的．在制作高频FBAR器件(5GHz以上)时，采用氮化铝作压电材料比用氧化锌作压电材料更合适．
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR)；Mason等效电路模型；微波振荡器；双工器；射频微机电系统
中图分类号：TN015；TN454；TB552文献标识码：A
快速发展的无线通讯技术(如移动通讯、无线传 的插指电极非常困难；三是声表面波滤波器用到的
感网络)和雷达技术需要越来越多的高性能集成微 压电晶体和IC电路制作工艺
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