第1章 半导体的物质结构和能带结构2011..ppt

西安理工大学电子工程系　马剑平 * 四、宽禁带半导体中的杂质和缺陷能级 宽禁带半导体中杂质和缺陷的电离能一般都超过0.1eV，目前只发现纤锌矿氮化镓中的氮空位和占据镓位的Si是个例外，其电离能在0.01eV和0.03eV之间，氮只在3C-SiC和4H-SiC中发现有小于0.1eV的浅施主能级。其余杂质能级和缺陷能级皆为电离能较高的深能级（＞0.1eV）。因此，宽禁带半导体常使用电离能相对较小的深能级杂质做掺杂剂。 GaN使用Si 做n型掺杂剂，Si占Ga位时其能级在导带底以下0.012－0.02eV处；p型掺杂则只能使用能级相对较浅的Mg和Zn，Mg占Ga位时的能级在价带顶以上0.14－0.21eV处，Zn占Ga位时的能级在价带顶以上0.21－0.34eV处， 。 1、氮化镓（纤锌矿型）的掺杂剂 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2、碳化硅中杂质及其能级的多值性 碳化硅中的杂质原子一般以替换硅或碳原子的替位方式存在。其中，氮、磷等原子一般只替代碳，铝原子只替代硅，而硼原子则既可替代硅也可替代碳。 由于立方结构中的硅位和碳位与六方结构中的硅位和碳位具有不同的次近邻关系，杂质原子置换不同结构中的硅或碳所受到的静电作用不会完全相同。因此，同一种杂质的同一种占位方式对不同的同质异晶型有不同的能级位置。譬如，同样是N原子占据硅位，在3C-SiC中产生的施主能级在导带底以下0.06eV左右，而在6H-SiC中则在0.1eV左右。 不仅如此，由于2H-SiC以外的其他各种?-SiC同质异晶型存在多种不等价的点阵位置，因而这些材料的同一杂质能级常常具有多值性。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 譬如，6H-SiC因为有一种六方晶系的正四面体位置和两种立方晶系的正四面体位置，同一替位杂质就可能产生三条不同的能级。 N在6H-SiC中的三条施主能级分别在导带底以下0.081、0.138和0.142eV（见参考书表2-5）。 N在4H-SiC中更被发现有三条不同的六方位置施主能级和三条不同的立方位置施主能级，分别在导带底以下 六方：0.066、0.052和0.045eV 立方：0.124、0.092和0.100eV （见拙著表5-5）。 钒(V)是目前所知对SiC的应用具有特殊意义的一种双性深陷阱杂质。 2、碳化硅中杂质及其能级的多值性 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 在6H-SiC中，钒可产生两条能级，一条深施主和一条深受主，二者分别位于导带底以下1.13eV和0.7eV处。 在6H-SiC中掺钒，利用它对电子和空穴的陷阱作用，实现杂质的高度补偿，由此获得半绝缘碳化硅衬底，满足碳化硅和氮化镓微波功率器件与微波单片集成电路(MMIC)研制的需要。不过，钒在碳化硅中的固溶度不高，只有3?5×1017cm-3，浓度稍高一点就会严重破坏碳化硅的晶格完整性。因此，通过掺钒制备半绝缘碳化硅，首先要提高碳化硅晶体的纯度。 2、碳化硅中杂质及其能级的多值性 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 本征半导体的导电机构 空穴 空穴: 当价带顶附近一些电子被激发到导带后，价带中就留下一些空状态. 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 本征半导体的导电机构 本征半导体 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体的导电性能在导体与绝缘体之间。 导电机构 电子导电在外电场的作用下，满带上的电子获得能量，越过禁带，跃迁到空带上去。这些跃迁到空带上去的电子在半导体中逆着电场方向集体定向流动而形成电流，称为电子导电。 空穴导电当满带上的一个电子跃迁到空带后,满带中出现一个空位。在满带上这空位下面能级上的电子，又可以跃迁到这空位上来,而在自己原来的位置上又留下一个空位，相当于满带上空位向下跃迁。顺着电场方向集体定向流动形成电流，称为空穴导电。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 第一章 半导体的物质结构和能带结构 1.1 半导体的原子结合与晶体结构 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中载流子的有效质量 1.4 半导体中的杂质和缺陷能级 1.5 典型半导体的能带结构 1.6 半导体能带工程概要 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 1-5 典型半导体的能带结构 一、表征能带结构的基本内容 二、硅和锗的能带结构 三、III-V族化合物半导体的能带结构 四、II-VI族化合物半导体的能带结构 五、宽禁带化合物半导体的能带结构 六、半导体固溶体的能带结构 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 1）导带极小值和价带极大值的位置，特别是导带底与价带顶的相对位置及其能量差Eg； 2）极值附近电子或空穴的等能面形状，有效质量（E(k)曲线极值处的曲率半径）的大小； 3）极值能量的简并情况 4）禁带宽度随温度的变化规律 5）禁带宽度随应力的变化规律 一、表征能带