基于预测缓存的低功耗TLB快速访问机制研究.pdfVIP

第28卷第8期 计 算 机 应 用 研 究 Vol_28No．8 2011年。8月 ApplicationResearchofComputers Aug,2011 基于预测缓存的低功耗 TLB快速访问机制 武淑丽，孟建熠，王荣华，严晓浪，葛海通 (浙江大学超大规模集成电路设计研究所，杭州310027) 摘 要 ：基于存储器访 问局部性原理，提 出了一种基于预测缓存 的低功耗转换旁置缓 器 (TLB)快速访 问机 制。该机制采用单端 口静态随机存储器(SRAM)代替传统的内容寻址存储器(CAM)结构，通过匹配搜索实现全 相连 TLB的快速访问，在两级TLB之间设计可配置的访 问预测缓存，用于动态预测第二级TLB访问顺序，减少 第二级TLB搜索匹配的延时，并有效降低第二级TLB访问功耗。采用该机制明显降低了TLB的缺失代价，当第 一 级TLB缺失肘访问第二级TLB的平均访 问延时接近1个时钟周期，约为原有平均访问延时的20％，增加的面 积开销仅为原 内存管理单元的1．81％左右，具有低成本、低功耗的特征。 关键词：内存管理单元；两级转换旁置缓冲器；内容寻址存储器；静态随机存储器；预测缓存：快速访问：低功耗 中图分类号：TP393．08 文献标志码：A 文章编号：1001—3695(2Ol1)08—2964．03 doi：10．3969／j．issn．1001．3695．2011．08．045 Fastandlow powerTLB accessmechanism withpredictionbuffer wu Shu—li，MENGJian—yi，WANGRong—hua，YANXiao—lang，GEHai-tong (InstituteofVLSIDesign，ZhejiangUnive~i@，Hangzhou310027，China) Abstract：ThispaperproposedafastandlowpowerTLBaccessmechanism withpredictionbufferbasedonmemoryaccess1o- calityprinciple，naddesignedatwo-levelTLBstructureimplementedbySARM insteadofCAM toachievefastaccess0fthe fullassociatedn ．BetweenthetwolevelsofhteintroducedTLB．anindependentnadhardwareconfigurablepredictionbuff- erwasdesingedtodynamicallypredicttheaccesssequencesofthesecondlevelTLB，whichcouldreduceitsaccesspenalty whenhtefirstlevelILBmissedandsignificantlyreducethedynamicpowerconsumptionwitlllittlecontrollogic．Experiment Showst}latcomparedwiththetraditionalwto．1evelTLBstructure．theaverageaccesscyclesoftllesecondlevelTLBareabout 20％ ofthetraditionalone．withonly1．81％ raeaincrement．whichsupportlow powerandlow costembeddedapplication, Keywords：MMU；two．1evelTLB；CAM；SRAM；predictionbuffer；fastaccess；low．power 较高，空间使用率低，会引起较大的性能损失。支持多种页面 0 引言